[发明专利]一种超薄二维碳化硅材料的制备方法在审
| 申请号： | 201611048694.1 | 申请日： | 2016-11-23 |
| 公开（公告）号： | CN106587066A | 公开（公告）日： | 2017-04-26 |
| 发明（设计）人： | 林时胜;徐文丽 | 申请（专利权）人： | 浙江大学 |
| 主分类号： | C01B32/984 | 分类号： | C01B32/984;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 杭州求是专利事务所有限公司33200 | 代理人： | 万尾甜,韩介梅 |
| 地址： | 310027 浙*** | 国省代码： | 浙江;33 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及一种超薄二维碳化硅的制备方法，是将洁净的硅片置于反应炉管内，升温至1200℃‑1400℃，真空度抽至10‑5‑105Pa,在保护气体氛围下通入甲烷，反应10s‑3min；冷却至室温；将反应产物分散于异丙醇中，并超声10‑30min；将超声后的溶液滴于铜网上晾干，得到超薄二维碳化硅材料。本发明制备工艺简单，制得的超薄二维碳化硅厚度能达到2‑3nm，大小能达到2μm.而且所制备的二维碳化硅是一种具有宽禁带并能稳定存在的材料，相比石墨烯的零带隙和二硫化钼不能稳定存在的缺点，超薄二维碳化硅的诞生为将二维碳化硅应用于光电探测器、太阳能电池等光电器件以及纳米材料等技术领域提供了突破口。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 超薄 二维 碳化硅 材料 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种超薄二维碳化硅材料的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：1)将硅片清洗干净，去除硅片表面的氧化层后，置于反应炉内；2)以10℃/min‑30℃/min的速率升温至1300℃‑1400℃，反应炉管内的真空度抽至10‑5‑105Pa，在保护气体氢气的氛围下通入甲烷，反应3s‑3min；3)以1℃/min‑500℃/min的速率将反应炉冷却至室温；4)将得到的反应产物置于异丙醇中，超声分散；5)将超声后的溶液滴于铜网上晾干，得到超薄二维碳化硅材料。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于浙江大学，未经浙江大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201611048694.1/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种功能化氨基‑碳化钛及其制备方法
- 下一篇：一种从含硅废渣中回收硅粉的方法
