[发明专利]一种射频VDMOS晶体管的金属栅与场板结构及其制备方法有效
| 申请号： | 201611047367.4 | 申请日： | 2016-11-22 |
| 公开（公告）号： | CN107068567B | 公开（公告）日： | 2020-01-24 |
| 发明（设计）人： | 赵杨杨;刘洪军;应贤炜;盛国兴 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第五十五研究所 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L21/28 |
| 代理公司： | 32204 南京苏高专利商标事务所(普通合伙) | 代理人： | 黄天天 |
| 地址： | 210016 江苏省南*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种射频VDMOS晶体管的金属栅与场板结构及其制备方法，采用湿法刻蚀，在硅衬底外延层表面中间位置形成梯形氧化层；然后在梯形氧化层两侧采用常规工艺，形成沟道、源漏等常规掺杂区；接下来在外延层表面生长栅氧化层并覆盖金属层，采用湿法刻蚀，去除梯形氧化层侧边的金属层；最后采用干法刻蚀，形成金属栅和场板结构。本发明的金属栅降低栅阻，提高器件的功率增益，栅与场板的分离减小栅漏反馈电容，改善器件的高频性能；栅与场板的距离可通过梯形氧化层的侧边角度调节，降低工艺难度；场板下梯形氧化层有助于降低界面电场，增加器件可靠性，同时与常规的VDMOS工艺制程完全兼容，同时形成栅和场板结构，不增加额外的工序。 | ||
| 搜索关键词： | 氧化层 场板结构 金属栅 场板 外延层表面 湿法刻蚀 侧边 覆盖金属层 器件可靠性 常规工艺 反馈电容 干法刻蚀 高频性能 工艺难度 功率增益 角度调节 界面电场 栅氧化层 掺杂区 常规的 硅衬底 金属层 沟道 减小 去除 射频 源漏 栅漏 制备 制程 兼容 生长 | ||
【主权项】：
1.一种射频VDMOS晶体管的金属栅与场板结构的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：/n步骤一、在硅衬底外延层上，形成SiO
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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