[发明专利]一种选择性发射极黑硅电池及其制作方法

摘要

本发明涉及一种选择性发射极黑硅电池，包括电池银栅线、氮化硅膜、黑硅绒面、选择性发射极、硅衬底及铝背场，该选择性发射极黑硅电池的制作方法包括如下步骤：1硅片去损伤层/抛光工艺；2正面PN结工艺；3发射极掩膜形成；4磷硅玻璃层和掩膜去除工艺；5反应离子刻蚀形成黑硅绒面工艺；6黑硅绒面修复工艺；7镀减反射膜；8丝网印刷和烧结工艺。该选择性发射极黑硅电池及其制作方法将黑硅工艺放置在扩散工艺后，使用抛光技术，有效避免由于RIE绒面形貌导致的扩散PN掺杂浓度不均的问题，减少干法制绒后绒面形貌对扩散后PN结深的影响，改善PN结的均匀性，提高产品的质量，同时将选择性发射极技术与黑硅制绒工艺结合在一起，进一步提高电池片转换效率。

主权项

1.一种选择性发射极黑硅电池，其特征在于，包括电池银栅线、氮化硅膜、黑硅绒面、选择性发射极、硅衬底及铝背场，所述铝背场位于所述硅衬底的背面，所述选择性发射极位于硅衬底上，所述黑硅绒面位于所述选择性发射极上，所述氮化硅膜位于所述黑硅绒面上，所述电池银栅线位于所述氮化硅膜上。