[发明专利]一种具体石墨烯散热结构的功率器件的制造方法在审
| 申请号： | 201611029445.8 | 申请日： | 2016-11-22 |
| 公开（公告）号： | CN106449402A | 公开（公告）日： | 2017-02-22 |
| 发明（设计）人： | 王汉清 | 申请（专利权）人： | 南通沃特光电科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/331 | 分类号： | H01L21/331 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 226300 江苏省南通*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种具体石墨烯散热结构的功率器件的制造方法，包括（1）提供一陶瓷基板，在基板上通过光刻工艺形成同心散热环的下半部；（2）沉积碳化硅以包围所述下半部，并进行平坦化，以露出所述下半部的顶部；（3）涂覆石墨烯层，并进行图案化，形成相互交叉的石墨烯连接筋；（4）在石墨烯连接筋上部通过光刻工艺形成同心散热环的上半部，形成完整的同心散热环。再进行碳化硅覆盖和挖槽等以形成散热良好的散热结构。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 具体 石墨 散热 结构 功率 器件 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种具体石墨烯散热结构的功率器件的制造方法，包括：（1）提供一陶瓷基板，在基板上通过光刻工艺形成不连续的同心散热环的下半部；（2）沉积碳化硅以包围所述下半部，并进行平坦化，以露出所述下半部的顶部；（3）涂覆石墨烯层，并进行图案化，形成与所述同心散热环相互交叉的石墨烯连接筋；（4）在石墨烯连接筋上部通过光刻工艺形成同心散热环的上半部，形成完整的同心散热环；（5）用碳化硅材料覆盖所述上半部，进行平坦化形成完整的碳化硅材料；（6）用机械方法进行开槽，形成凹槽，所述凹槽的底部露出基板；（7））在凹槽底部形成石墨烯层并在所形成的散热结构的外侧涂覆一层不连续的石墨烯环，构成相互电隔离的石墨烯枝状结构；（8）用绝缘导热胶固定功率元件，并通过导线将所述功率元件与所述枝状结构电连接，并用散热树脂进行封装，灌封凹槽，最终形成具体石墨烯散热结构的功率器件。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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