[发明专利]一种ZnON、QLED器件及其制备方法有效
| 申请号： | 201611016205.4 | 申请日： | 2016-11-18 |
| 公开（公告）号： | CN106384768B | 公开（公告）日： | 2019-04-16 |
| 发明（设计）人： | 王宇;曹蔚然;钱磊 | 申请（专利权）人： | TCL集团股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/06 | 分类号： | H01L33/06;H01L33/14;H01L33/00;H01L51/50;H01L51/54;H01L51/56 |
| 代理公司： | 深圳市君胜知识产权代理事务所(普通合伙) 44268 | 代理人： | 王永文;刘文求 |
| 地址： | 516006 广东省*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开一种ZnON、QLED器件及其制备方法，方法包括步骤：将Zn源、N源和Li源混合，然后加入溶剂，再加入单乙醇胺，在惰性气体保护氛围下，于120‑160℃温度下加热搅拌，直至溶液澄清为止。本发明溶液法及合适比例制成的ZnON应用到QLED中，提高了载流子的迁移率，提升了空穴的注入能力，进一步平衡空穴和电子的注入。另外，通过加入少量的Li元素，提高了N在ZnON中掺杂可能性，使得N元素更容易掺杂，亦通过将前驱体再氮气氛围下退火，降低ZnON氧化成ZnO的几率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 znon qled 器件 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种ZnON的制备方法，其特征在于，包括步骤：将Zn源、N源和Li源混合，然后加入溶剂，再加入单乙醇胺，在惰性气体保护氛围下，于120‑160℃温度下加热搅拌，直至溶液澄清为止。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于TCL集团股份有限公司，未经TCL集团股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201611016205.4/，转载请声明来源钻瓜专利网。
