[发明专利]制作黑硅层的方法在审
| 申请号： | 201611008395.5 | 申请日： | 2016-11-16 |
| 公开（公告）号： | CN106548935A | 公开（公告）日： | 2017-03-29 |
| 发明（设计）人： | 杨修伟;袁安波;向鹏飞 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第四十四研究所 |
| 主分类号： | H01L21/3065 | 分类号： | H01L21/3065;H01L21/02;H01L31/09;H01L31/18 |
| 代理公司： | 重庆辉腾律师事务所50215 | 代理人： | 侯懋琪,侯春乐 |
| 地址： | 400060 重庆*** | 国省代码： | 重庆;85 |
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| 摘要： | 一种制作黑硅层的方法，所述方法的步骤为1）采用反应离子刻蚀机，在SF6和O2氛围下对硅表面进行刻蚀，使硅表面形成绒面；2）采用等离子刻蚀机，在Cl2和O2氛围下对硅表面进行刻蚀，使绒面上的硅表面粗糙度进一步增加，从而获得黑硅层；3）采用稀氢氟酸溶液对硅表面进行清洗，黑硅层制作完成。本发明的有益技术效果是提出了一种制作黑硅层的方法，该方法制作出的黑硅层沟槽深度较大，对反射的抑制效果较好。 | ||
| 搜索关键词： | 制作 黑硅层 方法 | ||
【主权项】：
一种制作黑硅层的方法，其特征在于：所述方法的步骤为：1）采用反应离子刻蚀机，在SF6和O2氛围下对硅表面进行刻蚀，使硅表面形成绒面；2）采用等离子刻蚀机，在Cl2和O2氛围下对硅表面进行刻蚀，使绒面上的硅表面粗糙度进一步增加，从而获得黑硅层；3）采用稀氢氟酸溶液对硅表面进行清洗，黑硅层制作完成。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
