[发明专利]半导体结构及其制造方法

摘要

一种半导体结构及其制造方法，方法包括：提供基底，包括N型和P型逻辑区、上拉晶体管区和传送门晶体管区，N型逻辑区包括用于形成第一N型器件的第一N型阈值电压区、用于形成第二N型器件的第二N型阈值电压区，第一N型器件小于第二N型器件阈值电压；P型逻辑区包括用于形成第一P型器件的第一P型阈值电压区、用于形成第二P型器件的第二P型阈值电压区，第一P型器件大于第二P型器件阈值电压；形成栅介质层；在栅介质层上形成第一功函数层；去除第一P型阈值电压区和上拉晶体管区第一功函数层；在第一功函数层和栅介质层上形成第二功函数层；去除第一N型阈值电压区和传送门晶体管区的第一、第二功函数层。本发明提高SRAM写入冗余度。

主权项

1.一种半导体结构的制造方法，其特征在于，包括：提供基底，所述基底包括N型逻辑区、P型逻辑区、上拉晶体管区以及传送门晶体管区，其中，所述N型逻辑区包括：用于形成第一N型器件的第一N型阈值电压区，以及用于形成第二N型器件的第二N型阈值电压区，所述第一N型器件的阈值电压小于所述第二N型器件的阈值电压；所述P型逻辑区包括：用于形成第一P型器件的第一P型阈值电压区，以及用于形成第二P型器件的第二P型阈值电压区，所述第一P型器件的阈值电压大于所述第二P型器件的阈值电压；在所述N型逻辑区、P型逻辑区、上拉晶体管区以及传送门晶体管区的部分基底上形成栅介质层；在所述栅介质层上形成第一功函数层；去除所述第一P型阈值电压区和上拉晶体管区的第一功函数层；在剩余所述第一功函数层上、第一P型阈值电压区和上拉晶体管区的栅介质层上形成第二功函数层；去除所述第一N型阈值电压区和传送门晶体管区的第二功函数层和第一功函数层；在剩余所述第二功函数层上、第一N型阈值电压区和传送门晶体管区的栅介质层上形成第三功函数层；在所述第三功函数层上形成第四功函数层。