[发明专利]具有高产量的超高选择比的多晶硅蚀刻

摘要

本发明涉及具有高产量的超高选择比的多晶硅蚀刻。提供了用于去除晶片上的多晶硅层的方法和装置，其中晶片可以包括氮化物层、低k介电层、氧化物层和其他膜。在远程等离子体源中产生氢基物质和氟基物质的等离子体，并且在相对低的温度下将晶片暴露于等离子体以限制固体副产物的形成。在一些实现方案中，晶片保持在低于约60℃的温度。以非常高的蚀刻速率去除多晶硅层，并且多晶硅相对于氮化物层和氧化物层的选择比非常高。在一些实现方案中，晶片被支撑在具有多个热区的晶片支撑件上，所述多个热区被配置为限定整个晶片上的多个不同温度。

主权项

一种从晶片去除多晶硅层的方法，所述方法包括：提供具有多晶硅层的晶片；使包含氢基物质和氟基物质的蚀刻剂流入远程等离子体源中，其中所述氢基物质的浓度大于所述氟基物质的浓度；在所述远程等离子体源中产生远程等离子体，其中所述远程等离子体包含所述氢基物质和所述氟基物质的自由基；以及将所述晶片暴露于所述远程等离子体以去除所述多晶硅层，其中所述晶片维持在使得所述晶片在暴露于所述远程等离子体期间基本上不含固体副产品残余物的温度范围内。