[发明专利]一种热处理过程中调控半导体薄膜中元素吸附或逃逸的方法在审
| 申请号： | 201610988921.2 | 申请日： | 2016-11-04 |
| 公开（公告）号： | CN108022839A | 公开（公告）日： | 2018-05-11 |
| 发明（设计）人： | 刘卫卫 | 申请（专利权）人： | 盐城师范学院 |
| 主分类号： | H01L21/324 | 分类号： | H01L21/324 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 22405*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及一种方法，特别涉及一种热处理过程中调控半导体薄膜中元素吸附或逃逸的方法。本发明的方法为：将热处理过程中的升温速率控制在5‑8℃/min，将热处理过程中的降温速率控制在8‑10℃/min。由于采用上述技术方案，本发明所具有的优点和积极效果是：可以在激活掺杂原子的同时防止掺杂原子的逃逸，提高有效的掺杂效率；更换热处理环境方便，操作简单；只要合理的改变热处理环境压强即可实现对薄膜中元素的吸附或逃逸的控制。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 热处理 过程 调控 半导体 薄膜 元素 吸附 逃逸 方法 | ||
【主权项】：
1.一种热处理过程中调控半导体薄膜中元素吸附或逃逸的方法，本发明的方法为：将热处理过程中的升温速率控制在5-8℃/min，将热处理过程中的降温速率控制在8-10℃/min。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于盐城师范学院，未经盐城师范学院许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201610988921.2/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种户外运动护膝
- 下一篇：一种对林产废弃物进行三相回收的热解转化工艺及设备
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
