[发明专利]一种矫顽力可调稀土-过渡合金薄膜的制备方法有效

专利信息
申请号: 201610987929.7 申请日: 2016-11-10
公开(公告)号: CN106521439B 公开(公告)日: 2018-10-16
发明(设计)人: 王可;董硕;黄亚 申请(专利权)人: 华侨大学
主分类号: C23C14/35 分类号: C23C14/35;C23C14/14
代理公司: 泉州市文华专利代理有限公司 35205 代理人: 张浠娟
地址: 362300 福*** 国省代码: 福建;35
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摘要: 发明公开一种矫顽力可调稀土‑过渡合金薄膜的制备方法,将稀土贴片与铁钴合金靶相贴合形成复合镶嵌靶,采用磁控溅射方法对复合镶嵌靶进行溅射,通过溅射工作气体的流量有效调节制备的非晶合金薄膜的磁特性,实现薄膜易磁化方向水平与垂直以及富过渡与富稀土成分之间的连续变化。该稀土‑过渡合金薄膜的制备方法可在较大范围内调节合金薄膜的磁特性及矫顽力,满足磁电记录技术领域对材料特性的要求。
搜索关键词: 一种 矫顽力 可调 稀土 过渡 合金 薄膜 制备 方法
【主权项】:
1.一种矫顽力可调稀土‑过渡合金薄膜的制备方法,其特征在于:包括以下步骤:(1)将多片呈等腰三角形的纯度≥99.9%的稀土贴片均匀对称贴在纯度≥99.9%的的铁钴合金靶上,形成溅射用的复合镶嵌靶,所述稀土贴片为Tb贴片或者Dy贴片,所述稀土贴片的顶角为15~40°,所述稀土贴片的腰长为所述铁钴合金靶的半径长度的70~90%;(2)将所述复合镶嵌靶作为磁控溅射的靶材,安装固定在磁控溅射室的溅射靶座上;(3)将清洗烘干后的基片安置固定于磁控溅射室的基片台上,调整靶基距为4~8cm;(4)将溅射真空室抽真空,使溅射真空室内的压强小于1×10‑5Pa,通入纯度≥99.99%的氩气作为工作气体,控制氩气的进气流量在25~100sccm范围内;(5)在溅射工作气压0.2~1.0Pa的条件下,对所述复合镶嵌靶预溅射10~30min;(6)调节基片台每分钟旋转5~15圈,打开基片台和溅射靶座之间的挡板,以1.5~5W/cm2的溅射功率密度溅射所述复合镶嵌靶,溅射时间为1~20min,得到20~400nm厚的稀土‑过渡合金薄膜。
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