[发明专利]一种炉管的氮气冷却系统及晶圆和晶舟的冷却方法有效
申请号: | 201610983199.3 | 申请日: | 2016-11-09 |
公开(公告)号: | CN106409731B | 公开(公告)日: | 2019-02-01 |
发明(设计)人: | 祁鹏;王智;苏俊铭 | 申请(专利权)人: | 上海华力微电子有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L21/673;F27D9/00 |
代理公司: | 上海天辰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31275 | 代理人: | 吴世华;张磊 |
地址: | 201210 上海市浦*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本发明公开了一种炉管的氮气冷却系统及晶圆和晶舟的冷却方法,通过在氮气冷却系统中设置两路冷却管路,每路冷却管路分别采用质量流量控制器控制氮气流量,并通过在两路冷却管路中设置不同的氮气流量,使从冷却晶舟的第一冷却管每个出气孔中喷射出的氮气流量小于从冷却晶圆的第二冷却管每个出气孔中喷射出的氮气流量,以在晶舟舟脚部位产生的颗粒被第一冷却管喷射出的较小流量氮气吹落时,通过第二冷却管喷射出的较大流量氮气吹走,从而既能够很好地冷却晶舟及晶舟上的晶圆,又可防止将晶舟舟脚上的颗粒吹到晶圆上。 | ||
搜索关键词: | 一种 炉管 氮气 冷却系统 冷却 方法 | ||
【主权项】:
1.一种炉管的氮气冷却系统,设置在炉管下方的预装载区,并位于下降到预装载区时的晶舟侧部,所述晶舟通过舟脚水平装载有若干层晶圆,其特征在于,所述氮气冷却系统包括:第一、第二冷却管路,其分别设有质量流量控制器;第一、第二冷却管,分别垂直设于第一、第二冷却管路末端,沿第一、第二冷却管的管壁分别设有多个出气孔,用于喷射氮气分别从侧部对晶舟及晶舟中的晶圆进行冷却;第一、第二冷却管路连接机械臂,出气孔处加装活动喷嘴;其中,由供气系统导入的氮气,经第一、第二冷却管路各自质量流量控制器的调节,以不同的设定流量流向第一、第二冷却管,使从第一冷却管每个出气孔喷射出的氮气流量小于从第二冷却管每个出气孔喷射出的氮气流量,以在晶舟舟脚部位产生的颗粒被第一冷却管喷射出的较小流量氮气吹落时,通过第二冷却管喷射出的较大流量氮气吹走,从而防止颗粒落到晶圆上。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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