[发明专利]一种透射电镜样品的制备方法有效
申请号: | 201610975064.2 | 申请日: | 2016-11-07 |
公开(公告)号: | CN106525532B | 公开(公告)日: | 2019-09-20 |
发明(设计)人: | 孙明达 | 申请(专利权)人: | 上海达是能源技术有限公司 |
主分类号: | G01N1/28 | 分类号: | G01N1/28 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 200233 上海市徐*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本发明提供一种透射电镜样品的制备方法。首先对样品进行机械研磨抛光;其次将机械研磨抛光好的样品利用离子减薄仪或直接利用电化学双喷仪进行双面抛光,获得边缘厚度小于20纳米契形区域;再将样品中的载环进行切割或直接将样品切割;最后使用聚焦离子束降样品目标区域厚度全部减薄到200nm以下。本方法能在同一样品上可以获得高质量的高分辨图像和低放大倍数图像,且能显著降低制样成本。 | ||
搜索关键词: | 透射电镜样品 机械研磨 抛光 制备 切割 样品目标区域 高分辨图像 聚焦离子束 离子减薄仪 电化学 双面抛光 减薄 契形 制样 放大 图像 | ||
【主权项】:
1.一种透射电镜样品的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:步骤一,对样品进行机械研磨抛光,将待测样品的厚度减薄到50微米以下,所述样品为 陶瓷、半导体或复合材料;步骤二,把步骤一减薄好的样品粘结到透射电镜用的载环上,对样品进行双面抛光,获得边缘厚度小于20纳米楔形区域,所述抛光由离子减薄仪或电化学双喷仪完成;步骤三,对步骤二得到的样品中的载环进行切割,将样品边缘厚度小于20纳米楔形区域对面的载环切除;步骤四,将步骤三得到的样品安放到聚焦离子束载物台上,利用聚焦离子束将楔形区域中包含厚膜的部分全部减薄到200纳米以下,所述聚焦离子束的方向与载环平面平行。
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