[发明专利]一种透射电镜样品的制备方法

权利要求书

1.一种透射电镜样品的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

步骤一，对样品进行机械研磨抛光，将待测样品的厚度减薄到50微米以下，所述样品为陶瓷、半导体或复合材料；

步骤二，把步骤一减薄好的样品粘结到透射电镜用的载环上，对样品进行双面抛光，获得边缘厚度小于20纳米楔形区域，所述抛光由离子减薄仪或电化学双喷仪完成；

步骤三，对步骤二得到的样品中的载环进行切割，将样品边缘厚度小于20纳米楔形区域对面的载环切除；

步骤四，将步骤三得到的样品安放到聚焦离子束载物台上，利用聚焦离子束将楔形区域中包含厚膜的部分全部减薄到200纳米以下，所述聚焦离子束的方向与载环平面平行。

2.如权利要求1所述的透射电镜样品的制备方法，其特征在于，步骤二中所述的载环为铜环、钼环或镍环，载环外径为3毫米。

3.如权利要求1所述的透射电镜样品的制备方法，其特征在于，步骤三中所述的切割方法为激光切割或机械切割。

4.如权利要求1所述的透射电镜样品的制备方法，其特征在于，步骤三中所述的切除的载环为整个圆环的六分之一到二分之一。

5.一种透射电镜样品的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

步骤一，对样品进行机械研磨抛光，将待测样品的厚度减薄到50微米以下，所述样品为金属或合金；

步骤二，把步骤一减薄好的样品制成圆片状，对样品进行双面抛光，在样品中间穿孔，获得厚度小于20纳米楔形区域，所述的样品抛光由离子减薄仪或电化学双喷仪完成；

步骤三，对步骤二得到的圆片状样品进行切割，切割线通过样品中间的穿孔，所述的切割方法为激光切割或机械切割；

步骤四，将步骤三得到的样品安放到聚焦离子束载物台上，利用聚焦离子束将楔形区域中包含厚膜的部分全部减薄到200纳米以下，所述聚焦离子束的方向与样品圆平面平行。