[发明专利]InGaN/GaN量子阱激光器及其制作方法有效
| 申请号： | 201610945995.8 | 申请日： | 2016-10-26 |
| 公开（公告）号： | CN106785919B | 公开（公告）日： | 2020-05-26 |
| 发明（设计）人： | 田爱琴;刘建平;张书明;李德尧;张立群;杨辉 | 申请（专利权）人： | 杭州增益光电科技有限公司 |
| 主分类号： | H01S5/343 | 分类号： | H01S5/343 |
| 代理公司： | 深圳市铭粤知识产权代理有限公司 44304 | 代理人： | 孙伟峰;武岑飞 |
| 地址： | 310026 浙江省杭州市经济技*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： |
本发明公开了一种InGaN/GaN量子阱激光器，其包括：衬底；依序在衬底上的低温GaN缓冲层、高温n型GaN层和n型AlGaN光限制层；在n型AlGaN光限制层上的n型InGaN下波导层；在n型InGaN下波导层上的InGaN/GaN量子阱有源区；在InGaN/GaN量子阱有源区上的u型InGaN上波导层；在u型InGaN上波导层上的p型AlGaN电子阻挡层；在p型AlGaN电子阻挡层上的p型AlGaN/GaN光限制层；在p型AlGaN/GaN光限制层上的p型GaN欧姆接触层。本发明还公开一种该InGaN/GaN量子阱激光器的制作方法。本发明采用1～2个单原子层厚度的In |
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| 搜索关键词： | ingan gan 量子 激光器 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
一种InGaN/GaN量子阱激光器，其特征在于，包括：衬底；在所述衬底上的低温GaN缓冲层；在所述低温GaN缓冲层上的高温n型GaN层；在所述高温n型GaN层上的n型AlGaN光限制层；在所述n型AlGaN光限制层上的n型InGaN下波导层；在所述n型InGaN下波导层上的InGaN/GaN量子阱有源区；在所述InGaN/GaN量子阱有源区上的u型InGaN上波导层；在所述u型InGaN上波导层上的p型AlGaN电子阻挡层；在所述p型AlGaN电子阻挡层上的p型AlGaN/GaN光限制层；在所述p型AlGaN/GaN光限制层上的p型GaN欧姆接触层。
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