[发明专利]一种高可靠性发光二极管的制备方法在审
| 申请号： | 201610939357.5 | 申请日： | 2016-10-25 |
| 公开（公告）号： | CN106409992A | 公开（公告）日： | 2017-02-15 |
| 发明（设计）人： | 兰叶;顾小云;黄龙杰;赵鸿悅;马双彪;王江波 | 申请（专利权）人： | 华灿光电（浙江）有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L33/36 |
| 代理公司： | 北京三高永信知识产权代理有限责任公司11138 | 代理人： | 徐立 |
| 地址： | 322000 浙江省金华市义*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种高可靠性发光二极管的制备方法，属于半导体技术领域。所述制备方法形成P型电极和N型电极的过程包括在透明导电层和N型半导体层上涂覆第一正性光刻胶；在第一正性光刻胶上涂覆第二正性光刻胶，第二正性光刻胶的感光灵敏性比第一正性光刻胶的感光灵敏性弱；采用光刻技术对P型电极和N型电极所在区域的第一正性光刻胶和第二正性光刻胶进行曝光和显影，第一正性光刻胶和第二正性光刻胶内形成圆台状的通孔；在第二正性光刻胶、以及通过孔露出的透明导电层和N型半导体层上形成金属层；剥离第一正性光刻胶和第二正性光刻胶，得到P型电极和N型电极。本发明提高了芯片的可靠性和均匀性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 可靠性 发光二极管 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种高可靠性发光二极管的制备方法，所述制备方法包括：在蓝宝石衬底的第一表面上依次生长N型半导体层、发光层、P型半导体层；在所述P型半导体层上形成延伸至所述N型半导体层的凹槽；在所述P型半导体层上形成电子阻挡层；在所述电子阻挡层和所述P型半导体层上形成透明导电层；在所述透明导电层上设置P型电极，在所述N型半导体层上设置N型电极；在所述透明导电层、所述凹槽的侧壁和所述N型半导体层上沉积钝化保护层；对所述蓝宝石衬底的第二表面进行减薄，所述蓝宝石衬底的第二表面为与所述蓝宝石衬底的第一表面相反的表面；在减薄后的所述蓝宝石衬底的第二表面上形成反光层，得到半成品；对所述半成品进行划裂，得到发光二极管芯片；其特征在于，所述在所述透明导电层上设置P型电极，在所述N型半导体层上设置N型电极，包括：在所述透明导电层和所述N型半导体层上涂覆第一正性光刻胶；在所述第一正性光刻胶上涂覆第二正性光刻胶，所述第二正性光刻胶的感光灵敏性比所述第一正性光刻胶的感光灵敏性弱；采用光刻技术对所述P型电极和所述N型电极所在区域的所述第一正性光刻胶和所述第二正性光刻胶进行曝光和显影，所述第一正性光刻胶和所述第二正性光刻胶内形成圆台状的通孔；在所述第二正性光刻胶、以及通过所述通孔露出的所述透明导电层和所述N型半导体层上形成金属层；剥离所述第一正性光刻胶和所述第二正性光刻胶，得到所述P型电极和所述N型电极。
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