[发明专利]药液槽承载晶圆的底座及提高槽式湿法刻蚀均匀性的方法有效
| 申请号： | 201610926005.6 | 申请日： | 2016-10-24 |
| 公开（公告）号： | CN106449483B | 公开（公告）日： | 2019-03-26 |
| 发明（设计）人： | 王春伟;李阳柏;张传民;陈建维 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 智云 |
| 地址： | 201203 上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种药液槽承载晶圆的底座及提高槽式湿法刻蚀均匀性的方法，该底座包括在承载晶圆的底座正对应晶圆的底部的中心位置设置有流通药液的主通道，在承载晶圆的底座正对应晶圆的底部的两侧位置均匀对称分布设置有流通药液的侧通道，或者单独设置侧通道。该方法包括采用单独设置的侧通道或者主通道和两侧的侧通道平衡了流通晶圆的底部的药液的流速分布，以使流通晶圆的底部的药液浓度均匀化，从而提高湿法刻蚀的均匀性。 | ||
| 搜索关键词： | 药液 承载 底座 提高 湿法 刻蚀 均匀 方法 | ||
【主权项】：
1.一种提高槽式湿法刻蚀均匀性的方法，其特征在于，采用药液槽承载晶圆的底座(10)，所述药液槽承载晶圆的底座(10)包括在承载晶圆的底座(10)正对应晶圆(20)的底部的中心位置设置有流通药液的主通道(11)，在承载晶圆的底座(10)正对应晶圆(20)的底部的两侧位置均匀对称分布设置有流通药液的侧通道(12)，所述的主通道(11)和两侧的所述的侧通道(12)平衡了流通晶圆(20)的底部的药液的流速分布，以使流通晶圆(20)的底部的药液浓度均匀化，从而提高湿法刻蚀的均匀性；通过主通道(11)和两侧的侧通道(12)或者单独通过两侧的侧通道(12)平衡了药液槽承载晶圆的底座(10)的药液的流速分布，以使流通晶圆(20)的底部的药液浓度均匀化，以提高槽式湿法刻蚀的均匀性；具体包括以下步骤，首先，找出药液槽承载晶圆的底座(10)的局部微循环流量与药液槽的整体微循环流量的关系；其次，实时反馈药液槽承载晶圆的底座(10)的局部微循环流量与药液槽的整体微循环流量的状况；再次，补偿药液槽承载晶圆的底座(10)的局部微循环流量，从而实现药液槽承载晶圆的底座(10)的局部微循环流量与药液槽的整体微循环流量的动态平衡，以提高槽式湿法刻蚀的均匀性。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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