[发明专利]基于氩气环境改变温度条件下电子元器件高能电子辐照效应的原位测试方法

摘要

基于氩气环境改变温度条件下电子元器件高能电子辐照效应的原位测试方法，涉及电子技术领域。本发明是为了解决电子元器件地面辐照过程中，由于环境气氛和温度的影响，导致电性能原位测试不准确和评价效率低的问题。本发明采用氩气环境，这样可以有效地排除以往辐照试验过程中空气中氧气的影响和真空辐照中负压的影响，提高了电子元器件原位测试的准确性。在辐照过程中进行变温辐照，温度区间选取双极晶体管工作的环境温度条件，这样的原位测试方法低剂量率增强效应加速试验方法步骤简单，易于操作。本发明适用于双极型电子元器件空间辐照效应研究和试验。

主权项

1.基于氩气环境改变温度条件下电子元器件高能电子辐照效应的原位测试方法，该方法包括以下步骤：步骤一：将待测试的电子元器件进行开帽处理，并将处理后的电子元器件置于非真空的密封环境下；步骤二：向密封环境下充入氩气，获得氩气辐照环境气氛；步骤三：在氩气辐照环境气氛下，对待测试的电子元器件进行变温辐照，获得电子元器件损伤退化结果；其特征在于，步骤一中：步骤一一：在开帽处理之后，获得待测试的电子元器件的一次初始参数；步骤一二：将处理后的电子元器件置于非真空的密封环境下，并将电子元器件的电性能测试引线通过真空插头连接至半导体电性能测试仪，获得待测试的电子元器件的二次初始参数；步骤一三：将一次初始参数与二次初始参数进行对比，若两组参数一致，则执行步骤二，否则返回执行步骤一。