[发明专利]一种P型NiO基稀磁半导体纳米管及其制备方法

摘要

本发明涉及一种P型NiO基稀磁半导体纳米管及其制备方法，采用同轴静电纺丝法进行纺丝；制备产物为芯层@壳层结构，经烧结之后，PVP经高温挥发，得到稀磁半导体纳米管，外径为200‑400nm，内径为50‑100nm，长度10‑100μm。该一维纳米管磁性材料由于其特殊的尺寸与结构，往往具有高度的磁各向异性，其易磁化方向沿纳米纤维轴向。因此，与一般铁磁体材料相比，一定取向排列的一维纳米磁性材料磁滞回线具有比较高的矩形比。同时一维纳米管磁性材具有更大的比表面积，比零维纳米材料具有更好的电子传输特性。与现有技术相比，该方法具有简单易行、成本低、方便快速、制备的样品纯度高等优点，可大规模化生产等优点。

主权项

一种P型NiO基稀磁半导体纳米管的制备方法，其特征在于步骤如下：（1）以Ni(CH3COO)2·4H2O和Fe(NO3)3·9H2O为原料，Ni(CH3COO)2·4H2O与Fe(NO3)3·9H2O的物质的量之比为0.99:0.01‑0.9:0.1，将原料溶解在体积分数为5%‑10%的稀盐酸中，加入高聚物PVP制备出壳层纺丝液，高聚物PVP与稀盐酸质量之比为1:2‑4；（2）将高聚物PVP加入到酒精中，高聚物PVP与酒精质量之比为1:2‑3，制备出芯层纺丝液；（3）将步骤（1）中的壳层纺丝液和步骤（2）中的芯层纺丝液进行静电纺丝得到样品，将得到的样品放入马弗炉中进行热处理，得到NiO基稀磁半导体纳米管。