[发明专利]一种应变多量子阱激光器有源层应变补偿的方法在审
| 申请号： | 201610891985.0 | 申请日： | 2016-10-13 |
| 公开（公告）号： | CN106253056A | 公开（公告）日： | 2016-12-21 |
| 发明（设计）人： | 贾华宇;朱天雄;李灯熬;汤宝;刘应军 | 申请（专利权）人： | 太原理工大学 |
| 主分类号： | H01S5/34 | 分类号： | H01S5/34;H01S5/343 |
| 代理公司： | 太原市科瑞达专利代理有限公司14101 | 代理人： | 李富元 |
| 地址： | 030024 山西*** | 国省代码： | 山西;14 |
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| 摘要： | 本发明涉及量子阱激光器技术领域，具体是一种应变多量子阱激光器有源层应变补偿的方法。在量子阱激光器其它条件不变的情况下调整势阱层的材料组份为AlxGayIn1‑x‑yAs，使得有源层净应变量的绝对值最小，然后根据调整后的势阱层的材料组份，在其它条件不变的情况下制作量子阱激光器。本发明的有益效果是：势垒和势阱之间的带隙差比较大，能有效的阻止载流子的泄露，提高了量子效率，改善器件的高线性大功率特性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 应变 多量 激光器 有源 补偿 方法 | ||
【主权项】：
一种应变多量子阱激光器有源层应变补偿的方法，其特征在于：按照如下步骤进行步骤一、利用器件仿真实验模型制作一个量子阱激光器，使满足量子阱激光器的波长为1310nm，量子阱激光器的有源层的材料为由Al、Ga、In、As四种元素组成的四元化合物，其它根据现有技术自由选择；步骤二、在量子阱激光器其它条件不变的情况下调整势阱层的材料组份为AlxGayIn1‑x‑yAs，使得有源层净应变量的绝对值最小，然后根据调整后的势阱层的材料组份，在其它条件不变的情况下制作量子阱激光器，x和y满足以下两个公式其中为势阱层的应变量为张应变，为势垒层的应变量为压应变，为势阱层的的厚度，为势垒层的厚度，为有源区的厚度即为和之和，为材料非应变带隙，在波长为1310nm时，，x和y都为小于1的正数。
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