[发明专利]三维电容及其制造方法有效
| 申请号： | 201610888908.X | 申请日： | 2016-10-12 |
| 公开（公告）号： | CN107958895B | 公开（公告）日： | 2019-12-20 |
| 发明（设计）人： | 胡志玮;叶腾豪 | 申请（专利权）人： | 旺宏电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/64 | 分类号： | H01L23/64;H01L27/115;H01L27/11578 |
| 代理公司： | 11021 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 周天宇 |
| 地址： | 中国台湾新竹*** | 国省代码： | 中国台湾;TW |
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| 摘要： | 集成电路包含3D存储器区块与3D电容区块。3D电容包括多个绝缘条与多个导电条相交错的多个堆叠，一第一终端连接至这些堆叠中一个或多个堆叠中的连续阶层中的导电条，以这些导电条作为3D电容的第一极板。第二终端绝缘于第一终端所连接的导电条，或连接至另一或其它堆叠中的连续阶层中的导电条，或连接至多个柱体。并未有插入的导电条设置在连续阶层中的导电条之间。 | ||
| 搜索关键词： | 三维 电容 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种3D电容，其特征在于，包括：/n多个绝缘条与多个导电条相交错的多个堆叠；/n一第一终端，连接至这些堆叠中一第一组间隔堆叠中的连续阶层的多个导电条；及/n一第二终端，连接至这些堆叠中一第二组间隔堆叠中的连续阶层的多个导电条。/n
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