[发明专利]非易失性存储器装置及其实时自适应读取电压调整方法有效
| 申请号： | 201610878546.6 | 申请日： | 2016-10-09 |
| 公开（公告）号： | CN107025940B | 公开（公告）日： | 2020-11-20 |
| 发明（设计）人： | 戴颖煜;朱江力 | 申请（专利权）人： | 威盛电子股份有限公司 |
| 主分类号： | G11C16/26 | 分类号： | G11C16/26 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 史新宏 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种非易失性存储器装置及其实时自适应读取电压调整方法。非易失性存储器装置包括非易失性存储电路以及控制器。非易失性存储电路读取一组对应数据电压，以及依照控制器的读取电压参数将该组对应数据电压转换为对应数据。依据对应数据的错误位数量，控制器决定是否执行实时自适应读取电压调整。实时自适应读取电压调整包括：提供左(或低)读取电压参数给非易失性存储电路以将该组对应数据电压转换为左对应数据；提供右(或高)读取电压参数给非易失性存储电路以将该组对应数据电压转换为右对应数据；以及依照对应数据、左对应数据与右对应数据的关系，而决定读取电压参数的调整方向与调整量。 | ||
| 搜索关键词： | 非易失性存储器 装置 及其 实时 自适应 读取 电压 调整 方法 | ||
【主权项】：
一种非易失性存储器装置，包括：一非易失性存储电路，用以依据一读取命令的一读取电压参数设定至少一读取电压，依据该读取命令的一地址读取一组对应数据电压，以及依照所述至少一读取电压将该组对应数据电压转换为一对应数据；以及一控制器，耦接至该非易失性存储电路以提供该读取命令并接收该对应数据，以及依据该对应数据的错误位数量而决定是否执行一实时自适应读取电压调整，其中该实时自适应读取电压调整包括：提供一左读取电压参数以使该非易失性存储电路依照该左读取电压参数将该组对应数据电压转换为一左对应数据，提供一右读取电压参数以使该非易失性存储电路依照该右读取电压参数将该组对应数据电压转换为一右对应数据，以及依照该对应数据与该左对应数据的关系以及该对应数据与该右对应数据的关系而适应性决定该读取电压参数的调整方向与调整量，其中该左读取电压参数所对应的至少一左读取电压小于所述至少一读取电压，以及该右读取电压参数所对应的至少一右读取电压大于所述至少一读取电压。
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