[发明专利]利用氧化层与氮化层依序包覆电极部的场效应晶体管及其制造方法

摘要

一种利用氧化层与氮化层依序包覆电极部的场效应晶体管及其制造方法，场效应晶体管中的半导体基板上的外延层开设有一沟槽，且沟槽内的残余氧化层部分包覆一包覆氮化层，包覆氮化层包覆一包覆氧化层，包覆氧化层包覆一电极部。栅极氧化层形成于沟槽的沟槽侧壁、包覆氮化层与残余氧化层。栅极部形成于栅极氧化层上，并依序通过栅极氧化层、包覆氮化层与包覆氧化层而与电极部相间隔。外延层中设有邻近于栅极部处的本体区及源极区，且源极区与栅极部上覆盖有层间介电层。源极电极覆盖本体区与层间介电层并接触于源极区。

主权项

一种利用氧化层与氮化层依序包覆电极部的场效应晶体管的制造方法，包含以下步骤：(a)提供一半导体基板，并在该半导体基板上形成一外延层；(b)于该外延层蚀刻出一沿一垂直方向延伸的沟槽，该沟槽具有一沟槽侧壁以及一沟槽底部；(c)于该外延层的表面、该沟槽的该沟槽侧壁以及该沟槽底部形成一第一氧化层，并于该第一氧化层上形成一第一氮化层；(d)于该第一氮化层上形成一第二氧化层，并于该第二氧化层上形成一第一多晶硅层；(e)蚀刻部份的该第一多晶硅层，使残余的该第一多晶硅层在该沟槽内形成一电极部；(f)于该电极部与该第二氧化层上形成一第三氧化层；(g)蚀刻部份的该第二氧化层与该第三氧化层，使残余的该第二氧化层与该第三氧化层形成一包覆该电极部的包覆氧化层；(h)于该包覆氧化层与该第一氮化层上形成一第二氮化层；(i)蚀刻部份的该第一氮化层与该第二氮化层，使残余的该第一氮化层与该第二氮化层在该沟槽内形成一包覆该包覆氧化层的包覆氮化层；(j)蚀刻部份的该第一氧化层，使残余的该第一氧化层在该沟槽内形成一残余氧化层；(k)于该沟槽侧壁、该包覆氮化层与该残余氧化层上形成一栅极氧化层，并在该栅极氧化层上形成一栅极部，该栅极部依序通过该栅极氧化层、该包覆氮化层与该包覆氧化层而与该电极部相间隔；(l)在该外延层邻近于该栅极部处依序形成一本体区与一源极区；(m)形成一覆盖该源极区与该栅极部的层间介电层；以及(n)形成一覆盖该本体区与该层间介电层并接触于该源极区的源极电极，借以制造出该利用氧化层与氮化层依序包覆电极部的场效应晶体管。