[发明专利]一种晶态氧化钒薄膜及其制备方法和在可见及近红外光学器件中的应用在审
申请号: | 201610857558.0 | 申请日: | 2016-09-27 |
公开(公告)号: | CN107868943A | 公开(公告)日: | 2018-04-03 |
发明(设计)人: | 黄美东;张鹏宇;张建鹏 | 申请(专利权)人: | 天津师范大学 |
主分类号: | C23C14/58 | 分类号: | C23C14/58;C23C14/08 |
代理公司: | 天津创智天诚知识产权代理事务所(普通合伙)12214 | 代理人: | 王秀奎 |
地址: | 300387 *** | 国省代码: | 天津;12 |
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摘要: | 本发明公开了一种晶态氧化钒薄膜及其制备方法和在可见及近红外光学器件中的应用,一种晶态氧化钒薄膜,利用磁控溅射方法制备出的氧化钒薄膜为原料,在箱式炉中对氧化钒薄膜进行热处理,氧化钒薄膜经退火后自然冷却至室温20~25℃即可得到结构致密均匀的所述的晶态氧化钒薄膜,热处理时用到的箱式炉处于一个标准大气压和室温20~25℃条件的环境中;进行热处理时,自室温20~25℃下以3℃~5℃/分钟的升温速度升温至退火温度,退火温度为300℃~600℃,退火时间为20分钟~80分钟。本发明解决了非晶态氧化钒薄膜不透明的问题,经测试,透射率平均值可达50%以上(优选60—85%),可应用于可见及近红外光学器件。 | ||
搜索关键词: | 一种 晶态 氧化 薄膜 及其 制备 方法 可见 红外 光学 器件 中的 应用 | ||
【主权项】:
一种晶态氧化钒薄膜,其特征在于:利用磁控溅射方法制备出的氧化钒薄膜为原料,在箱式炉中对氧化钒薄膜进行热处理,氧化钒薄膜经退火后自然冷却至室温20~25℃即可得到结构致密均匀的所述的晶态氧化钒薄膜,热处理时用到的箱式炉处于一个标准大气压和室温20~25℃条件的环境中;进行热处理时,自室温20~25℃下以3℃~5℃/分钟的升温速度升温至退火温度,退火温度为300℃~600℃,退火时间为20分钟~80分钟;经测试,薄膜对近红外光的透射率平均值可达50%以上。
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