[发明专利]烧结体和包含该烧结体的溅射靶以及使用该溅射靶形成的薄膜有效
| 申请号： | 201610857413.0 | 申请日： | 2016-09-27 |
| 公开（公告）号： | CN107012435B | 公开（公告）日： | 2020-04-21 |
| 发明（设计）人： | 奈良淳史 | 申请（专利权）人： | 捷客斯金属株式会社 |
| 主分类号： | C23C14/34 | 分类号： | C23C14/34;C23C14/06;C23C14/08 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人： | 胡嵩麟;王海川 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及烧结体和包含该烧结体的溅射靶以及使用该溅射靶形成的薄膜。一种含有ZnS和氧化物的烧结体或膜，其特征在于，所述烧结体含有40摩尔％～70摩尔％的ZnS，烧结体中的所述氧化物至少包含包含Zn、Ga、O的复合氧化物，所述烧结体或膜的组成满足关系式：4原子％≤Ga/(Ga+Zn‑S)≤18原子％。本发明的课题在于提供一种体电阻值低且能够进行稳定的DC溅射的溅射靶。另外，本发明的课题在于提供一种在光学特性、耐高温高湿性方面具有极其优异的特性的薄膜作为各种显示器中的透明导电膜、光盘的保护膜、光学调节用膜。 | ||
| 搜索关键词： | 烧结 包含 溅射 以及 使用 形成 薄膜 | ||
【主权项】：
一种烧结体，其为含有ZnS和氧化物的烧结体，其特征在于，所述烧结体含有40摩尔％～70摩尔％的ZnS，所述氧化物至少包含包含Zn、Ga、O的复合氧化物，所述烧结体的组成满足关系式：4原子％≤Ga/(Ga+Zn‑S)≤18原子％。
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