[发明专利]产生施加给非易失性存储单元的电压的电压供应器件有效
| 申请号： | 201610815694.3 | 申请日： | 2016-09-09 |
| 公开（公告）号： | CN107086045B | 公开（公告）日： | 2020-12-18 |
| 发明（设计）人： | 郑会三 | 申请（专利权）人： | 爱思开海力士有限公司 |
| 主分类号： | G11C5/14 | 分类号： | G11C5/14;G11C16/30 |
| 代理公司： | 北京弘权知识产权代理事务所(普通合伙) 11363 | 代理人： | 李少丹;许伟群 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种电压供应器件包括偏压发生器、控制信号发生器和单元切换电路。偏压发生器将第一电源电压分压以输出多个分电源电压。控制信号发生器接收多个分电源电压以产生多个控制信号。单元切换电路接收多个控制信号来向非易失性存储单元提供接地电压、第一电源电压或与第一电源电压不同的第二电源电压中的一个或更多个。偏压发生器、控制信号发生器和单元切换电路中的每一个通过具有约7伏特至约15伏特的击穿电压的中压MOS晶体管来实施。 | ||
| 搜索关键词： | 产生 施加 非易失性 存储 单元 电压 供应 器件 | ||
【主权项】：
一种电压供应器件，其包括：偏压发生器，所述偏压发生器适用于将第一电源电压分压以输出多个分电源电压；控制信号发生器，所述控制信号发生器适用于接收所述多个分电源电压以产生多个控制信号；以及单元切换电路，所述单元切换电路适用于接收所述多个控制信号来为非易失性存储单元提供接地电压、所述第一电源电压以及与所述第一电源电压不同的第二电源电压中的一个或更多个，其中，所述偏压发生器、所述控制信号发生器和所述单元切换电路中的每一个通过中压MOS晶体管来实施，所述中压MOS晶体管具有约7伏特至约15伏特的击穿电压。
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