[发明专利]一种形成MIS结构的方法有效
| 申请号： | 201610790816.8 | 申请日： | 2016-08-31 |
| 公开（公告）号： | CN106328509B | 公开（公告）日： | 2019-05-03 |
| 发明（设计）人： | 刘英明 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 智云 |
| 地址： | 201203 上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种形成MIS结构的方法，包括：第一步骤：对硅衬底进行离子注入以及热退火形成N型阱或者P型阱；第二步骤：在暴露的硅衬底表面生长SiO2层；第三步骤：在SiO2层上依次生长金属Ti层和TiN层；第四步骤：在暴露SiO2层的凹槽中填充钨塞，然后对钨塞、金属Ti层和TiN层进行平坦化处理。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 形成 mis 结构 方法 | ||
【主权项】：
1.一种形成MIS结构的方法，其特征在于包括：第一步骤：对硅衬底进行离子注入以及热退火形成N型阱或者P型阱，所述硅衬底上形成有层间电介质层图案；第二步骤：在所述层间电介质层图案暴露的硅衬底表面生长SiO2层，所述层间电介质层图案具有暴露所述SiO2层的凹槽；第三步骤：在SiO2层上依次生长金属Ti层和TiN层，生长金属Ti层的方式包括物理气相沉积和化学气相沉积，使沉积的Ti和SiO2自发反应生成精确厚度的TiO2，所述的SiO2被还原成Si；第四步骤：在所述凹槽中填充钨塞，然后对钨塞、金属Ti层和TiN层进行平坦化处理。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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