[发明专利]金属栅极的制备方法

摘要

本发明的金属栅极的制备方法，包括：提供半导体衬底，半导体衬底包括具有第一伪栅极的第一区域和具有第二伪栅极的第二区域，且具有覆盖第一伪栅极和第二伪栅极的层间介质层，第一伪栅极高度高于第二伪栅极高度；化学机械研磨层间介质层，暴露出第一伪栅极；去除第一伪栅极，形成第一沟槽；在第一沟槽的侧壁和底壁及层间介质层上形成第一功函数调节层和第一金属栅极；化学机械研磨第一金属栅极、第一功函数调节层及层间介质层，暴露出第二伪栅极；去除第二伪栅极，形成第二沟槽；在第二沟槽的侧壁和底壁及层间介质层上形成第二功函数调节层和第二金属栅极；去除第二沟槽外的第二金属栅极和第二功函数调节层。本发明能简化金属栅极的制备工艺。

主权项

一种金属栅极的制备方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底具有相互隔离的第一区域和第二区域，所述第一区域具有位于所述半导体衬底表面的第一伪栅极，所述第二区域具有位于所述半导体衬底表面的第二伪栅极，所述半导体衬底表面具有覆盖所述第一伪栅极和所述第二伪栅极的层间介质层，其中，所述第一伪栅极的高度高于所述第二伪栅极的高度；化学机械研磨所述层间介质层，暴露出所述第一伪栅极；去除所述第一伪栅极，形成第一沟槽；在所述第一沟槽的侧壁和底壁及所述层间介质层上形成第一功函数调节层，并在所述第一功函数调节层上形成第一金属栅极；化学机械研磨所述第一金属栅极、第一功函数调节层及所述层间介质层，暴露出所述第二伪栅极；去除所述第二伪栅极，形成第二沟槽；在所述第二沟槽的侧壁和底壁及所述层间介质层上形成第二功函数调节层，并在所述第第二功函数调节层上形成第二金属栅极；去除所述第二沟槽外的所述第二金属栅极和所述第二功函数调节层。