[发明专利]一种高质量氮化物外延片的制备方法有效
| 申请号： | 201610739620.6 | 申请日： | 2016-08-29 |
| 公开（公告）号： | CN106328772B | 公开（公告）日： | 2018-12-11 |
| 发明（设计）人： | 王国宏;李志聪;王明洋;戴俊;闫其昂;孙一军 | 申请（专利权）人： | 扬州中科半导体照明有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L33/12;H01L21/205;C23C16/44;C23C16/52;C23C16/34 |
| 代理公司： | 扬州市锦江专利事务所 32106 | 代理人： | 江平 |
| 地址： | 225009 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 一种高质量氮化物外延片的制备方法，涉及一种发光二极管外延片的生长技术领域。本发明在衬底上依次外延生长形成氮化物缓冲层和氮化物层，在外延生长氮化物缓冲层时，通入V族N源前驱物和III族金属有机化合物，所述V族N源前驱物为由低分解温度的有机氮源和NH3组成的混合物。本发明通过同时采用低分解温度的有机氮源与NH3为外延生长所需的N源，调配两者比例，在优化的V/III比条件下，改善氮化物缓冲层的生长，获得数量较少、晶粒较大的晶种，获得充足的活性N源，以改善氮化物外延片的质量。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 质量 氮化物 外延 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种高质量氮化物外延片的制备方法，在衬底上依次外延生长形成氮化物缓冲层和氮化物层，在外延生长氮化物缓冲层时，通入V族N源前驱物和III族金属有机化合物；所述V族N源前驱物为由低分解温度的有机氮源和NH3组成的混合物；其特征在于：所述低分解温度的有机氮源为苯基联胺；所述氮化物缓冲层的外延生长温度为400～600℃，生长气氛为H2。
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