[发明专利]绝缘壁及其制造方法

摘要

一种像素，包括半导体层，该半导体层具有在半导体层中延伸的电荷累积层。晶体管具有向下穿透进入半导体层至第一深度的读取区。绝缘壁从上表面穿透进入半导体层并且包含连接至电位施加的节点的绝缘导体。绝缘壁至少包括设有向下穿透进入绝缘导体至第二深度的深绝缘插头的部分，该第二深度大于第一深度。绝缘壁的连续部分至少部分地横向划定电荷累积区并且包括具有至少部分地横向划定晶体管的读取区的深绝缘插头的壁部分。

主权项

一种像素，包括：半导体层；电荷累积区，所述电荷累积区在所述半导体层中延伸；晶体管，所述晶体管具有从上表面向下穿透进入所述半导体层至第一深度的源极区域或者漏极区域；绝缘壁，所述绝缘壁从所述上表面穿透进入所述半导体层，并且所述绝缘壁包括连接至电位施加节点的绝缘导体，所述绝缘壁至少包括设有从所述上表面向下穿透进入所述绝缘导体至第二深度的深绝缘插头的部分，所述第二深度大于所述第一深度；并且其中，所述绝缘壁的连续部分至少部分地横向划定所述电荷累积区，并且所述绝缘壁的连续部分包括具有至少部分地横向划定所述晶体管的所述源极区域或者漏极区域的所述深绝缘插头的壁部分。