[发明专利]电吸收调制器和侧向耦合光栅激光器单片集成方法及装置

摘要

本发明涉及一种电吸收调制器和侧向耦合光栅激光器单片集成方法及装置，所述方法包括以下步骤：S1、选择衬底，在衬底上依次生长覆盖缓冲层；S2、在缓冲层上依次生长下波导层、多量子阱层和上波导层；并分成激光器生长区域和电吸收调制器生长区域；S3、在上波导层上方依次生长停止层、包覆层和接触层；S4、在接触层上依次制作脊型波导、隔离区和接触条；S5、制作激光光栅；S6、制作P面电极、N面电极，并将衬底剪薄；S7、解条、镀膜。采用脊型波导结构，同时利用侧向耦合光栅进行选频和光反馈，进一步减少芯片制作成本。

主权项

1.一种电吸收调制器和侧向耦合光栅激光器单片集成方法，其特征在于，包括以下步骤：S1、选择衬底，在衬底上依次生长覆盖缓冲层；S2、在缓冲层上依次生长下波导层、多量子阱层和上波导层，并分成激光器生长区域和电吸收调制器生长区域，利用反应离子刻蚀和化学腐蚀的方法去除掩膜图形以外的第一上波导层、多量子阱层、以及第一下波导层的部分，然后利用浓硫酸：过氧化氢：去离子水的体积比为3:1:1的选择性腐蚀液腐蚀去除第一下波导层的另外一部分，腐蚀停止在缓冲层上，接着采用金属有机物化学气相淀积(MOCVD)方法依次生长第二下波导层，应变多量子阱层，第二上波导层，此次生长的区域是电吸收调制器生长区域；S3、在上波导层上方依次生长停止层、包覆层和接触层；S4、在接触层上依次制作脊型波导、隔离区和接触条；S5、制作激光光栅；S6、制作P面电极、N面电极，并将衬底剪薄，P面电极和N面电极均位于接触条上方，P面电极和N面电分别位于激光器生长区域的一侧和电吸收调制器生长区域的一侧；S7、解条、镀膜。