[发明专利]一种高开路电压的单晶电池扩散工艺

摘要

本发明公开了一种高开路电压的单晶电池扩散工艺。它采用多阶式的升降温推进扩散方式，从而提升单晶硅电池片转换效率，具体操作步骤如下(1)低温沉积采用低沉积温度及高POCl3与氧气比例；(2)二步升温对低沉积温度进行一步升温并保持，之后再对低沉积温度进行二步升温并保持；(3)三步降温出炉取三个降温温度进行三个阶段的降温氧化并保持；(4)将扩散的片子，测试方阻，完毕。本发明的有益效果是减少表面死层，提高少子寿命，改善方阻均匀性，扩散后硅片表面方块电阻一致性好，从而提升单晶电池片的Uoc，提高单晶硅电池片的转换效率。

主权项

一种高开路电压的单晶电池扩散工艺，其特征是，采用多阶式的升降温推进扩散方式，从而提升单晶硅电池片转换效率，具体操作步骤如下：(1)低温沉积：采用低沉积温度及高POCl3与氧气比例；其中，POCl3与氧气的比例为3∶1，低沉积温度为780℃，沉积时间为7min‑15min；(2)二步升温：对低沉积温度进行一步升温并保持，之后再对低沉积温度进行二步升温并保持；其中，一步升温的温度为810℃‑820℃，一步升温的保持时间为5min‑10min；二步升温的温度为850℃‑870℃，二步升温的保持时间为5min‑13min；(3)三步降温出炉：取三个降温温度进行三个阶段的降温氧化并保持；其中，三个降温的温度分别是830℃、810℃和780℃，三个降温氧化的保持时间均为400s，三个降温氧化的氧气流量为1600sccm‑2000sccm；(4)将扩散的片子，测试方阻，完毕。