[发明专利]激光晶化方法及装置在审
| 申请号： | 201610686001.5 | 申请日： | 2016-08-18 |
| 公开（公告）号： | CN106298451A | 公开（公告）日： | 2017-01-04 |
| 发明（设计）人： | 赵雁飞 | 申请（专利权）人： | 昆山国显光电有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/268;H01L21/67;H01L29/786;H01L21/336 |
| 代理公司： | 广州华进联合专利商标代理有限公司44224 | 代理人： | 唐清凯 |
| 地址： | 215300 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及一种激光晶化方法，用于晶化半导体薄膜，包括步骤：预晶化薄膜，第一激光束以预设的间歇顺序扫描薄膜；再晶化薄膜，第二激光束连续扫描第一激光束扫描过的薄膜，其中第二激光束的扫描方向与第一激光束的扫描方向相同。本发明还涉及一种激光晶化装置，包括激光器、光学系统和吸光板；激光器用于发出初始激光束；光学系统用于将初始激光束分为第一激光束和第二激光束，第一激光束顺序扫描薄膜，第二激光束连续扫描第一激光束扫描过的薄膜；吸光板设置于第一激光束照射至薄膜的光路上，吸光板能够以预设的间歇吸收第一激光束。上述激光晶化方法及装置，通过预晶化薄膜和再晶化薄膜两个步骤，晶化效果较好。 | ||
| 搜索关键词： | 激光 方法 装置 | ||
【主权项】：
一种激光晶化方法，用于晶化半导体薄膜，其特征在于，包括步骤:预晶化所述薄膜，第一激光束以预设的间歇顺序扫描所述薄膜；再晶化所述薄膜，第二激光束连续扫描所述第一激光束扫描过的所述薄膜，其中所述第二激光束的扫描方向与所述第一激光束的扫描方向相同。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于昆山国显光电有限公司，未经昆山国显光电有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201610686001.5/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
