[发明专利]一种高性能氧化镍基P型薄膜晶体管及其制备方法有效
| 申请号： | 201610638743.0 | 申请日： | 2016-08-04 |
| 公开（公告）号： | CN106298953B | 公开（公告）日： | 2019-08-09 |
| 发明（设计）人： | 朱丽萍;蒋天岚 | 申请（专利权）人： | 浙江大学 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L21/336 |
| 代理公司： | 杭州求是专利事务所有限公司 33200 | 代理人： | 万尾甜;韩介梅 |
| 地址： | 310027 浙*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种高性能氧化镍基P型薄膜晶体管，该薄膜晶体管包括栅极绝缘层及本征NiO薄膜层，在本征NiO薄膜层和栅极绝缘层之间还设有Li:NiO薄膜层，其一种具体结构的制备方法是在带有氧化层的重掺硅片衬底上依次沉积Li:NiO薄层和NiO薄膜，最后在这种复合薄膜上蒸镀金电极，获得高性能氧化镍基P型薄膜晶体管。本发明通过在NiO薄膜和栅极绝缘层之间插入一薄层高导电的Li:NiO薄膜，可得到开关比106～107的高性能NiO基P型薄膜晶体管，可显著地提高NiO基薄膜基薄膜晶体管的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 性能 氧化 薄膜晶体管 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种高性能氧化镍基P型薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：1)依次将纯NiO靶材、Li:NiO靶材、清洗干净的带有100～300nm厚氧化层的重掺硅片衬底安装于PLD腔体内，调节衬底与靶材间距为5～5.5cm；2)抽真空至2×10‑3Pa以下，衬底加热至温度在300～600℃范围内；通入氧气，调节腔体内压力至氧气压力在3～20Pa范围内；3)激光脉冲能量控制在200～300mJ范围，频率为2～5Hz；4)依次沉积Li:NiO薄膜和本征NiO薄膜，使Li:NiO薄膜的厚度是本征NiO薄膜厚度的20～40％；5)样品取出后，在NiO薄膜上蒸镀80～150nm厚的金电极，在N2保护下500～700℃快速退火100～300秒。
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