[发明专利]具有高导电率的芯片在审
| 申请号： | 201610608850.9 | 申请日： | 2016-07-24 |
| 公开（公告）号： | CN107658272A | 公开（公告）日： | 2018-02-02 |
| 发明（设计）人： | 俞亮亮 | 申请（专利权）人： | 俞亮亮 |
| 主分类号： | H01L23/29 | 分类号： | H01L23/29;H01L23/373;H01L23/492 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 211100 江苏省南京*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明提供一种具有高导电率的芯片，包括基片，基片外还具有一层导电层。本发明的具有高导电率的芯片，由于在芯片外设置了一层导电导热的纳米钻石层，使硅片具有优良的导热效能和导电效能，导热率可达4.7W/m·K。而且其制造简单；所使用的纳米钻石膏无侵蚀性、抗氧化性，也不易产生固化现象。因此该具有高导电率的芯片适用温度的范围较广、热传导效果稳定。可广泛用作LED晶片、光伏多晶硅片和各种散热接口芯片。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 导电 芯片 | ||
【主权项】：
一种具有高导电率的芯片，包括基片，其特征在于基片外还具有一层导电层。
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