[发明专利]一种纳米栅的制备方法在审
| 申请号： | 201610608428.3 | 申请日： | 2016-07-29 |
| 公开（公告）号： | CN106206274A | 公开（公告）日： | 2016-12-07 |
| 发明（设计）人： | 吕元杰;谭鑫;王元刚;宋旭波;郭红雨;冯志红 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第十三研究所 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28;H01L21/335 |
| 代理公司： | 石家庄国为知识产权事务所 13120 | 代理人： | 李荣文 |
| 地址： | 050051 *** | 国省代码： | 河北;13 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种纳米栅的制备方法，涉及半导体器件制造技术领域；在清洗好的衬底材料表面悬涂第一光刻胶，并烘烤、曝光，并用第一光刻胶对应的第一显影液显影实现第一纳米栅；涂第二光刻胶，并在一定的恒温条件下烘烤、曝光，曝光图形相对于B中的图形向右边或向左边平移，并用第二光刻胶对应的第二显影液显影实现第二纳米栅，第一纳米栅与第二纳米栅有重叠部分；采用电子束蒸发设备沉积得到栅金属；剥离后得到金属栅；方法简单，通过多次曝光且曝光过程中左右移动实现20 nm以下的金属栅。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 纳米 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种纳米栅的制备方法，其特征在于：该方法包括:A: 在清洗好的衬底材料（1）表面悬涂第一光刻胶（2），并在一定的恒温条件下烘烤；B:利用电子束曝光，并用第一光刻胶（2）对应的第一显影液显影实现第一纳米栅；C：涂第二光刻胶（3），并在一定的恒温条件下烘烤；D：利用电子束曝光，曝光图形相对于B中的图形向右边或向左边平移，并用第二光刻胶对应的第二显影液显影实现第二纳米栅，第一纳米栅与第二纳米栅有重叠部分；E：采用电子束蒸发设备沉积得到栅金属（4）；F：剥离后得到金属栅。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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