[发明专利]一种双有源区浅沟槽的形成方法在审
| 申请号： | 201610604747.7 | 申请日： | 2016-07-28 |
| 公开（公告）号： | CN106229289A | 公开（公告）日： | 2016-12-14 |
| 发明（设计）人： | 荆泉;许进;陈敏杰;任昱;吕煜坤;朱骏;张旭升 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/76 | 分类号： | H01L21/76;H01L21/027 |
| 代理公司： | 上海天辰知识产权代理事务所(特殊普通合伙)31275 | 代理人： | 吴世华;陈慧弘 |
| 地址： | 201210 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种双有源区浅沟槽的形成方法，包括在半导体衬底上形成刻蚀阻挡层，用第一光罩对两个需要刻蚀不同深度沟槽的第一、第二浅沟槽区域进行曝光和显影，完成已曝光区域刻蚀阻挡层的刻蚀，用第二光罩对需要刻蚀较深深度沟槽的第一浅沟槽区域进行曝光和显影，先完成第一浅沟槽区域一中间深度的刻蚀，然后移除第二光罩，同时对第一、第二浅沟槽区域进行一体化刻蚀，形成具有不同深度的第一、第二浅沟槽。本发明通过优化光罩设计，实现了低成本的光罩应用及刻蚀工艺的优化。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 有源 沟槽 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种双有源区浅沟槽的形成方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤S01：提供一半导体衬底，在所述半导体衬底上形成一刻蚀阻挡层；步骤S02：采用一第一光罩，对两个需要刻蚀不同深度沟槽的第一、第二浅沟槽区域进行曝光和显影；步骤S03：完成已曝光区域刻蚀阻挡层的刻蚀；步骤S04：采用一第二光罩，对需要刻蚀较深深度沟槽的第一浅沟槽区域进行曝光和显影；步骤S05：先完成第一浅沟槽区域一中间深度的刻蚀，然后移除第二光罩；步骤S06：以刻蚀阻挡层为掩模，同时对第一、第二浅沟槽区域进行刻蚀，形成具有不同深度的第一、第二浅沟槽。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
