[发明专利]沟槽刻蚀方法及第一金属层制造方法

摘要

本发明提供一种沟槽刻蚀方法及第一金属层制造方法，在所述沟槽刻蚀方法中，在对氧化物掩膜层进行刻蚀以实现沟槽图形转移时，能够根据测量出的氧化物掩膜层的沉积厚度，来适应性调整所述刻蚀停止在所述层间介质层中的深度，从而可以根据所述深度适应性调整后续层间介质层主刻蚀的深度，形成一种反馈机制，可以保证形成的沟槽的形貌和特征尺寸的稳定性，进而提高产品良率；而采用本发明的沟槽刻蚀方法制作的第一金属层，由于其形成的第一金属沟槽的形貌和特征尺寸的稳定性较佳，因此第一金属层在该第一金属沟槽中具有较好的填充效果，能够与其下方的金属插塞接触良好，避免了第一金属层的电阻值漂移、寄生电容增加、漏电等问题。

主权项

1.一种沟槽刻蚀方法，其特征在于，包括以下步骤：提供一半导体衬底，在所述半导体衬底表面上依次形成层间介质层、氮化物掩膜层以及氧化物掩膜层，并测量所述氧化物掩膜层的沉积厚度；在所述氧化物掩膜层上形成具有沟槽图形的光刻胶，并以所述光刻胶为掩膜，对所述氧化物掩膜层进行刻蚀，并根据测量出的所述沉积厚度控制所述刻蚀停止在所述层间介质层中的深度，以将所述沟槽图形转移到所述氧化物掩膜层；对所述氧化物掩膜层进行刻蚀时，测量出的所述氧化物掩膜层的沉积厚度越大，控制所述氧化物掩膜层的刻蚀停止在所述层间介质层中的深度越浅；去除所述光刻胶，以所述氧化物掩膜层为掩膜，根据所述深度对所述层间介质层进行相应的刻蚀，以在所述层间介质层中形成一定深度的沟槽。