[发明专利]一种线性像素界定层结构及其制备方法有效
申请号: | 201610585890.6 | 申请日: | 2016-07-22 |
公开(公告)号: | CN106129090B | 公开(公告)日: | 2019-01-25 |
发明(设计)人: | 王坚;王娟红;刘会敏;彭俊彪;曹镛;宋晨;郑华 | 申请(专利权)人: | 华南理工大学 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/56 |
代理公司: | 北京科亿知识产权代理事务所(普通合伙) 11350 | 代理人: | 赵蕊红 |
地址: | 510640 广*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | 一种线性像素界定层结构的制备方法,包括如下步骤:A.在基板表面沉积疏液性的绝缘层;B.在绝缘层表面打印能够溶解绝缘层的溶剂,形成像素墙和像素限定区;C.进行氧离子轰击处理,将像素限定区内残留的绝缘层除掉,此时整体结构呈亲液状态;D.进行热处理,使得结构中的绝缘材料恢复疏液性,像素限定区保持亲液状态。本发明通过在绝缘层表面打印溶剂得到像素界定层,其像素限定区具有亲液性,有利于溶液的铺展,像素墙具有疏液性,可以防止溶液溢出,且由于该绝缘材料仅溶于其特定的溶剂,可以防止发光层溶液侵蚀像素界定层。具有制备工艺简单、材料利用率高的特点。 | ||
搜索关键词: | 一种 线性 像素 界定 结构 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
1.一种线性像素界定层结构的制备方法,其特征在于,通过如下步骤进行:A.在基板表面沉积疏液性的绝缘层;B.在绝缘层表面打印能够溶解绝缘层的溶剂,打印的溶剂使得溶解的绝缘层因为咖啡环效应堆积形成像素墙,由像素墙围成对应的像素限定区;C.对步骤B形成的结构进行氧离子轰击处理,将像素限定区内残留的绝缘层除掉,此时整体结构呈亲液状态;D.将步骤C形成的结构进行热处理,使得结构中的绝缘材料恢复疏液性,像素限定区保持亲液状态,得到线性像素界定层结构。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
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