[发明专利]一种线性像素界定层结构及其制备方法有效

专利信息
申请号: 201610585890.6 申请日: 2016-07-22
公开(公告)号: CN106129090B 公开(公告)日: 2019-01-25
发明(设计)人: 王坚;王娟红;刘会敏;彭俊彪;曹镛;宋晨;郑华 申请(专利权)人: 华南理工大学
主分类号: H01L27/32 分类号: H01L27/32;H01L51/56
代理公司: 北京科亿知识产权代理事务所(普通合伙) 11350 代理人: 赵蕊红
地址: 510640 广*** 国省代码: 广东;44
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摘要: 一种线性像素界定层结构的制备方法,包括如下步骤:A.在基板表面沉积疏液性的绝缘层;B.在绝缘层表面打印能够溶解绝缘层的溶剂,形成像素墙和像素限定区;C.进行氧离子轰击处理,将像素限定区内残留的绝缘层除掉,此时整体结构呈亲液状态;D.进行热处理,使得结构中的绝缘材料恢复疏液性,像素限定区保持亲液状态。本发明通过在绝缘层表面打印溶剂得到像素界定层,其像素限定区具有亲液性,有利于溶液的铺展,像素墙具有疏液性,可以防止溶液溢出,且由于该绝缘材料仅溶于其特定的溶剂,可以防止发光层溶液侵蚀像素界定层。具有制备工艺简单、材料利用率高的特点。
搜索关键词: 一种 线性 像素 界定 结构 及其 制备 方法
【主权项】:
1.一种线性像素界定层结构的制备方法,其特征在于,通过如下步骤进行:A.在基板表面沉积疏液性的绝缘层;B.在绝缘层表面打印能够溶解绝缘层的溶剂,打印的溶剂使得溶解的绝缘层因为咖啡环效应堆积形成像素墙,由像素墙围成对应的像素限定区;C.对步骤B形成的结构进行氧离子轰击处理,将像素限定区内残留的绝缘层除掉,此时整体结构呈亲液状态;D.将步骤C形成的结构进行热处理,使得结构中的绝缘材料恢复疏液性,像素限定区保持亲液状态,得到线性像素界定层结构。
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