[发明专利]晶圆级LED芯片的反射层制备方法及LED芯片有效
| 申请号： | 201610547901.1 | 申请日： | 2016-07-13 |
| 公开（公告）号： | CN106129232B | 公开（公告）日： | 2020-08-04 |
| 发明（设计）人： | 谢安;张旻澍;陈文哲 | 申请（专利权）人： | 厦门理工学院 |
| 主分类号： | H01L33/60 | 分类号： | H01L33/60 |
| 代理公司： | 厦门智慧呈睿知识产权代理事务所(普通合伙) 35222 | 代理人： | 魏思凡 |
| 地址： | 361024 福*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 一种晶圆级LED芯片的反射层制备方法，包括以下步骤：S1，制备LED的硅基板，所述LED晶片区内设有硅通孔以及与之配合的电极；S2，在空腔内注射光致抗蚀剂，然后烘焙形成光致抗蚀剂层，所述光致抗蚀剂层覆盖LED晶片区上；S3，制备反射层，制备过程在室温环境下完成；S4，去除光致抗蚀剂层，将设置反射层后的硅基板设在浸泡池中，采用超声波去除光致抗蚀剂层使LED晶片区裸露出来；S5，在LED晶片区内设置LED晶片。本发明通过涂覆光致抗蚀剂层，依据需要在硅基板的顶面形成反射层，然后剥离光致抗蚀剂层。解决了传统工艺不能在倒装芯片中的硅通孔的上方制备反射层的问题，具备色温较低、颜色均匀性高以及功率高的优点。 | ||
| 搜索关键词： | 晶圆级 led 芯片 反射层 制备 方法 | ||
【主权项】：
晶圆级LED芯片的反射层制备方法，包括以下步骤：S1，制备LED的硅基板，所述硅基板的顶面形成空腔，所述空腔设有LED晶片区，所述LED晶片区内设有硅通孔以及与之配合的电极；S2，在空腔内注射光致抗蚀剂，然后烘焙形成光致抗蚀剂层，所述光致抗蚀剂层覆盖LED晶片区上；S3，通过溅射方式，在硅基板的顶面涂布一层反射层，制备过程在室温环境下完成；S4，提供装有溶剂的浸泡池，将设置反射层后的硅基板设在浸泡池中，采用超声波去除光致抗蚀剂层使LED晶片区裸露出来；S5，在LED晶片区内设置LED晶片。
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