[发明专利]一种可控Cu掺杂位ZnSe/ZnS/L‑cys纳米晶的制备方法有效
申请号: | 201610546606.4 | 申请日: | 2016-07-08 |
公开(公告)号: | CN106129176B | 公开(公告)日: | 2017-08-04 |
发明(设计)人: | 李葵英;崔洁圆 | 申请(专利权)人: | 燕山大学 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18 |
代理公司: | 秦皇岛一诚知识产权事务所(普通合伙)13116 | 代理人: | 续京沙 |
地址: | 066004 河北省*** | 国省代码: | 河北;13 |
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摘要: | 本发明公开了一种用于可控Cu掺杂位ZnSe/ZnS/L‑cys纳米晶的制备方法,其主要是将硒粉和硼氢化钠制备成硒氢化钠水溶液,将氯化锌和L‑半胱氨酸制备成锌前驱体溶液,再将氯化铜制备成CuCl2溶液,然后将上述三种溶液混合,回流反应3小时后移至容器中,加入丙酮,使其沉淀,用去离子水和无水乙醇对上述沉淀洗涤,反复离心三次后烘干,研磨成掺铜硒化锌核‑壳结构纳米晶。本发明制备的核‑壳结构CuZnSe/ZnS/L‑cys纳米晶材料的表面光伏响应范围增加约78~100纳米,且均处于可见光范围内;光伏响应强度最大值是原传统方法制得样品光伏响应强度的13~29倍。 | ||
搜索关键词: | 一种 可控 cu 掺杂 znse zns cys 纳米 制备 方法 | ||
【主权项】:
一种可控Cu掺杂位ZnSe/ZnS/L‑cys纳米晶制备方法,其特征在于:(1)硒氢化钠水溶液的制备将去离子水加入容器并通入N2 30min,按每100ml去离子水加入1.2‑2.0g硒粉与1.5‑2.3g硼氢化钠的比例,同时向去离子水中加入硒粉和硼氢化钠,在氮气环境和磁力搅拌下,室温反应至黑色硒粉完全消失且溶液澄清,制得硒氢化钠(NaHSe)水溶液并将其密封备用;所述硒粉与硼氢化钠的摩尔比为1:3;(2)锌前驱体溶液的制备按每100ml去离子水加入1.1‑1.5g氯化锌和1.3‑1.8g L‑半胱氨酸的比例,将氯化锌和L‑半胱氨酸加入到去离子水中,所述氯化锌与L‑半胱氨酸摩尔比为1:1.5,待其完全溶解后,在溶解的混合液中加入氢氧化钠溶液,使混合液的pH值调至11,制得锌前驱体溶液;(3)CuCl2溶液制备按100ml去离子水加入0.1‑0.2g氯化铜的比例,将氯化铜加入到装有去离子水的容器中,CuCl2与上述硒粉的摩尔比为1:11‑27,该容器持续通入氮气并磁力搅拌30min,制得CuCl2溶液;(4)合成巯基配体包覆的Cu:ZnSe/ZnS核壳结构纳米晶按锌前驱体溶液:NaHSe水溶液的混合液:CuCl2溶液的体积比为4.7:1:1的比例,将步骤⑵的锌前驱体溶液放入容器中,磁力搅拌下通氮气除掉反应液中的氧气,在氮气保护下加热至90℃,向锌前驱体溶液加入步骤(1)制得的NaHSe水溶液,开始回流反应并且计时,在氮气和磁力搅拌下反应0‑160min后将温度下调至60℃,再加入步骤(3)制得的CuCl2溶液,3小时回流反应结束后将全部溶液转移至容器中,待其完全冷却至室温,再按每100ml上述混合液加入100ml丙酮的比例,向上述混合液加入丙酮,使其沉淀完全,用去离子水与无水乙醇体积比1:3的乙醇溶液对上述混合液沉淀洗涤,反复离心三次,将所得沉淀置于60℃鼓风干燥箱中烘干,研磨成掺铜硒化锌核‑壳结构纳米晶。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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