[发明专利]反熔丝型非易失性存储单元、其阵列及其操作方法有效
| 申请号： | 201610543591.6 | 申请日： | 2016-07-11 |
| 公开（公告）号： | CN106910733B | 公开（公告）日： | 2020-01-17 |
| 发明（设计）人： | 崔光一 | 申请（专利权）人： | 爱思开海力士有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/525 | 分类号： | H01L23/525;G11C17/16;G11C17/18 |
| 代理公司： | 11363 北京弘权知识产权代理事务所(普通合伙) | 代理人： | 王建国;许伟群 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 一种反熔丝型非易失性存储单元包括：半导体层，具有第一导电类型；结区和沟槽隔离层，结区具有第二导电类型，结区和沟槽隔离层设置在半导体层的上部内，并且通过沟道区彼此间隔开；反熔丝绝缘图案，设置在沟道区上；栅电极，设置在反熔丝绝缘图案上；栅间隔件，设置在反熔丝绝缘图案和栅电极的侧壁上；字线，与栅电极连接；以及位线，与结区连接。如果将第一偏置电压和第二偏置电压分别施加至字线和位线，则反熔丝绝缘图案被击穿。 | ||
| 搜索关键词： | 反熔丝型非易失性 存储 单元 阵列 及其 操作方法 | ||
【主权项】：
1.一种反熔丝型非易失性存储单元，包括：/n半导体层，具有第一导电类型；/n结区和沟槽隔离层，结区具有第二导电类型，结区和沟槽隔离层设置在半导体层的上部内、通过沟道区彼此间隔开；/n反熔丝绝缘图案，设置在沟道区上；/n栅电极，设置在反熔丝绝缘图案上，所述栅电极包括掺杂有具有第二导电类型的杂质的多晶硅材料；/n栅间隔件，设置在反熔丝绝缘图案和栅电极的侧壁上；/n字线，与栅电极连接；以及/n位线，与结区连接，/n其中，当将第一偏置电压和第二偏置电压分别施加至字线和位线时，反熔丝绝缘图案被击穿，并且当反熔丝绝缘图案被击穿时，栅电极、半导体层和结区组成双极结型晶体管。/n
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