[发明专利]VCN硬质纳米结构薄膜及其制备方法在审
申请号: | 201610543071.5 | 申请日: | 2016-07-11 |
公开(公告)号: | CN106048544A | 公开(公告)日: | 2016-10-26 |
发明(设计)人: | 喻利花;许俊华;李勇 | 申请(专利权)人: | 江苏科技大学 |
主分类号: | C23C14/34 | 分类号: | C23C14/34;C23C14/06 |
代理公司: | 南京经纬专利商标代理有限公司 32200 | 代理人: | 楼高潮 |
地址: | 212003 *** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本发明公开了一种VCN硬质纳米结构薄膜及其制备方法,是在室温下,采用高纯的V靶和C靶为靶材,双靶共焦射频反应溅射法沉积在基体上得到的。沉积时,以氩气起弧,氮气为反应气体,氩氮气流量比为10sccm:7sccm,基体的旋转速度为3r/min,工作气压为0.3Pa,背底真空度<6.0×10‑4Pa,溅射时间为3h。所得薄膜厚度为1.8~2.6um,C元素含量在0at.%‑21.2at.%之间,VCN复合膜为面心立方结构,择优取向为(111),薄膜的最高硬度为28.1GPa,干切削实验下,最低摩擦系数为0.3824,最低磨损率1.17×10‑8mm3·N‑1mm‑1。 | ||
搜索关键词: | vcn 硬质 纳米 结构 薄膜 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
VCN硬质纳米结构薄膜,其特征在于,是采用双靶共焦射频反应溅射法在上沉积得到,C元素含量在0at.%‑21.2at.%之间,VCN复合膜为面心立方结构,择优取向为(111);C靶功率在0‑120W且大于0的范围内,当C靶功率小于30W时,薄膜中存在fcc‑VN相和t‑V5N相,当C靶功率大于30W时,薄膜中逐渐出现了非晶C相,且随着C靶功率的增大,非晶相随之增多;随C元素含量的增加,复合膜的硬度和弹性模量均先升高后降低,摩擦系数和磨损率逐渐减小,C靶功率为90W时,薄膜的硬度和抗弹性应变达到最大值,分别为28.1GPa和0.094,薄膜的摩擦系数和磨损率仅为0.3824和1.17×10‑8mm3·N‑1mm‑1。
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