[发明专利]一种改变源极金属连线方向的磁性随机存取存储器有效
| 申请号： | 201610533243.0 | 申请日： | 2016-07-06 |
| 公开（公告）号： | CN107591477B | 公开（公告）日： | 2020-07-17 |
| 发明（设计）人： | 陆宇;戴强;李辉辉;孟皓;刘少鹏;刘波 | 申请（专利权）人： | 中电海康集团有限公司;浙江驰拓科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L43/00 | 分类号： | H01L43/00;H01L43/08;H01L27/22;G11C11/02 |
| 代理公司： | 杭州之江专利事务所(普通合伙) 33216 | 代理人： | 张慧英 |
| 地址： | 311121 浙江省杭州*** | 国省代码： | 浙江;33 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及一种改变源极金属连线方向的磁性随机存取存储器，该发明提供一种将源极的金属层方向与位线垂直，规避源漏金属连线平行放置时所需要满足金属间的设计规范而牺牲的面积，来提高MRAM存储密度的方法。本发明避免了源漏极金属平行走线，可以基于最小设计规范尺寸，避免了由金属间以及金属和孔之间的最小设计规范而损失的面积。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 改变 金属 连线 方向 磁性 随机存取存储器 | ||
【主权项】：
一种改变源极金属连线方向的磁性随机存取存储器，其特征在于包括：有源区、多晶体栅极、后段金属与前段器件连接孔、第一层金属、第二层金属、磁性隧道结、位线；多晶体栅极设于有源区上方，将有源区分为源极与漏极；有源区的漏极通过后段金属与前段器件连接孔与第一层金属相连；所述漏极内带有位线；有源区的源极通过后段金属与前段器件连接孔与第一层金属相连，其中源极连接的第一层金属方向与多晶体栅极设置方向平行，与位线方向垂直；第二层金属通过磁性隧道结连接在第一层金属上方。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中电海康集团有限公司;浙江驰拓科技有限公司，未经中电海康集团有限公司;浙江驰拓科技有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201610533243.0/，转载请声明来源钻瓜专利网。
