[发明专利]相移掩模半成品、相移掩模制造方法及显示装置的制造方法有效
申请号: | 201610520850.3 | 申请日: | 2016-07-05 |
公开(公告)号: | CN106353963B | 公开(公告)日: | 2020-08-25 |
发明(设计)人: | 谷口和丈;坪井诚治;牛田正男 | 申请(专利权)人: | HOYA株式会社 |
主分类号: | G03F1/26 | 分类号: | G03F1/26 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人: | 张思宝 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 本发明提供一种具有优异的图案截面形状及优异的CD均一性且用于形成有微细图案的显示装置用相移掩模的形成的相移掩模半成品。设置在透明基板上的由铬类材料组成的相移膜具有:相移层;反射率降低层;金属层,其设置在相移层与反射率降低层之间,在350nm~436nm的波长区域内具有比反射率降低层的消光系数更高的消光系数;相移膜对于曝光光的透过率和相位差满足作为相移膜所必需的规定的光学特性,并且相移膜的膜表面反射率在350nm~436nm的波长区域内为10%以下。 | ||
搜索关键词: | 相移 半成品 制造 方法 显示装置 | ||
【主权项】:
一种相移掩膜半成品,其在透明基板上具备由铬类材料形成的相移膜,该相移掩膜半成品的特征在于:所述相移掩膜具有:相移层,其具有主要调整对曝光光的透过率和相位差的功能;反射率降低层,其配置在该相移层的上侧,具有使对从所述相移膜侧入射的光的反射率降低的功能;金属层,其配置在所述相移层与所述反射率降低层之间,在350nm~436nm的波长区域内具有比所述反射率降低层的消光系数更高的消光系数;通过所述相移层、所述金属层及所述反射率降低层的层叠构造,所述相移膜对曝光光的透过率和相位差具有规定的光学特性,并且所述相移膜对从所述相移膜侧入射的光的膜表面反射率在350nm~436nm的波长区域内为10%以下。
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G03 摄影术;电影术;利用了光波以外其他波的类似技术;电记录术;全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如通过电子束;其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜;其制备,例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜,例如用于校准或测试的特殊涂层或标记;其制备
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