[发明专利]OLED器件的阻挡层结构及其制备方法在审
| 申请号： | 201610505481.0 | 申请日： | 2016-07-01 |
| 公开（公告）号： | CN106058071A | 公开（公告）日： | 2016-10-26 |
| 发明（设计）人： | 刘忆军;吕光泉;初春;于棚;高超;柴雪;王晓晨 | 申请（专利权）人： | 沈阳拓荆科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L51/52 | 分类号： | H01L51/52;H01L51/56 |
| 代理公司： | 沈阳维特专利商标事务所(普通合伙) 21229 | 代理人： | 甄玉荃 |
| 地址： | 110179 辽宁省*** | 国省代码： | 辽宁;21 |
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| 摘要： | 本发明提供一种OLED器件的阻挡层结构及其制备方法,其特征在于此结构由无机薄膜堆叠而成，进一步的由金属氧化物薄膜和非金属氮化物薄膜交替堆叠出的多层结构构成。其中金属氧化物薄膜采用原子层沉积的方法进行制备，非金属氮化物薄膜采用等离子体增强化学气相沉积的方法进行制备。本发明这种无机薄膜堆叠结构，有效的阻挡了水蒸气向OLED器件中穿透，OLED器件易受空气中水汽影响而失效的问题，提高了OLED器件的使用寿命。 | ||
| 搜索关键词： | oled 器件 阻挡 结构 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种OLED器件的阻挡层结构，其特征在于：所述的OLED的阻挡层结构由无机薄膜堆叠而成多层结构，无机薄膜包括金属氧化物薄膜和非金属氮化物薄膜。
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