[发明专利]一种具有阱区掺杂的发光二极管外延生长方法在审
| 申请号： | 201610425239.2 | 申请日： | 2016-06-16 |
| 公开（公告）号： | CN106098862A | 公开（公告）日： | 2016-11-09 |
| 发明（设计）人： | 林志伟;陈凯轩;张永;卓祥景;姜伟;汪洋;童吉楚;方天足 | 申请（专利权）人： | 厦门乾照光电股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 厦门市新华专利商标代理有限公司 35203 | 代理人： | 廖吉保;唐绍烈 |
| 地址： | 361000 福建省厦门市*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 本发明公开一种具有阱区掺杂的发光二极管外延生长方法，提供衬底，在衬底上由下至上依次外延缓冲层、非故意掺杂层和第一型导电层；在第一型导电层上生长前量子垒；在前量子垒上接着外延V型量子阱；在V型量子阱上继续外延后量子垒；在后量子垒上外延量子阱；重复步骤二至步骤五多个周期，外延生长构成有源区；在有源区上接着由下至上依次外延电子阻挡层、第二型导电层和欧姆接触层。本发明可以减少整个有源区的阻值，降低工作电压，提高发光效率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 具有 掺杂 发光二极管 外延 生长 方法 | ||
【主权项】：
一种具有阱区掺杂的发光二极管外延生长方法，其特征在于：包括以下步骤：一，提供衬底，在衬底上由下至上依次外延缓冲层、非故意掺杂层和第一型导电层；二，把生长温度降至低于850℃，在第一型导电层上生长前量子垒；三，在前量子垒上接着外延V型量子阱，生长温度边生长边由800℃逐渐降至740℃至760℃，且掺杂量由0逐渐升高至1E+18；生长温度再由740℃至760℃升至800℃，边生长边升温，杂质掺杂量由1E+18逐渐降低至0；四，在V型量子阱上继续外延后量子垒；五，在后量子垒上外延量子阱；六，重复步骤二至步骤五多个周期，外延生长构成有源区；七，在有源区上接着由下至上依次外延电子阻挡层、第二型导电层和欧姆接触层。
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