[发明专利]一种制备单一相透明导电氧化亚铜薄膜的方法在审
| 申请号： | 201610409769.8 | 申请日： | 2016-06-13 |
| 公开（公告）号： | CN105821379A | 公开（公告）日： | 2016-08-03 |
| 发明（设计）人： | 洪瑞金;王进霞;陶春先;张大伟 | 申请（专利权）人： | 上海理工大学 |
| 主分类号： | C23C14/08 | 分类号： | C23C14/08;C23C14/35 |
| 代理公司： | 上海申汇专利代理有限公司 31001 | 代理人： | 吴宝根 |
| 地址： | 200093 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种制备单一相透明导电氧化亚铜薄膜的方法，在室温下采用直流反应磁控溅射的方法，以铜靶材作为溅射靶材，以氧气作为反应气体，以氩气作为溅射气体，在基底上沉积氧化亚铜薄膜，沉积氧化亚铜薄膜是在真空度为6.0×10‑4Pa及以上的真空室中进行的；所述铜靶溅射功率为40‑150W，所述沉积时间为1‑30min；所述氧气流量为2‑30sccm，所述氩气流量为5‑100sccm。根据本发明的方法所制备的氧化亚铜薄膜透明导电、具有单一相、沉积速率高、可控性强且具有良好的附着性、均匀性和稳定性。在异质结太阳能电池、光电器件、气体感应材料、光催化剂、高温超导体材料、环境净化等领域有广泛的应用前景。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 制备 单一 透明 导电 氧化亚铜 薄膜 方法 | ||
【主权项】：
一种制备单一相透明导电氧化亚铜薄膜的方法，其特征在于：在室温下采用直流反应磁控溅射的方法，以铜靶材作为溅射靶材，以氧气作为反应气体，以氩气作为溅射气体，在基底上沉积氧化亚铜薄膜，沉积氧化亚铜薄膜是在真空度为6.0×10‑4Pa及以上的真空室中进行的；其中，所述铜靶溅射功率为40‑150W，所述沉积时间为1‑30min；所述氧气流量为2‑30sccm，所述氩气流量为5‑100sccm。
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