[发明专利]一种半导体担载锰钴复合氧化物纳米材料的制备方法在审
| 申请号： | 201610406573.3 | 申请日： | 2016-06-12 |
| 公开（公告）号： | CN105948140A | 公开（公告）日： | 2016-09-21 |
| 发明（设计）人： | 黄垒;施利毅;胡晓楠;张登松;张剑平;李红蕊 | 申请（专利权）人： | 上海大学 |
| 主分类号： | C01G51/00 | 分类号： | C01G51/00;B82Y30/00 |
| 代理公司： | 上海上大专利事务所(普通合伙) 31205 | 代理人： | 陆聪明 |
| 地址： | 200444*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种半导体担载锰钴复合氧化物纳米材料的制备方法，其步骤为：(1).将0.05 ～ 50 g的半导体载体分散于160 mL去离子水中，得到半导体悬浊溶液，将0.01 g ～ 1 g高锰酸钾，加入50 mL ～ 5 L去离子水，得到高锰酸钾溶液，其浓度为0.002 ～ 20 g/L；(2).将上述半导体悬浊溶液和上述高锰酸钾溶液混合，置于300 W氙灯光源下照射，光照时间为10 min ～ 24 h，向溶液中加入质量为0.01 ～ 50 g的Co盐，再光照2 h，抽滤、洗涤；(3).将上述所得的样品进行干燥、研磨，研磨后在200 ～ 1000 ℃下煅烧0.5 ～ 12 h，制得半导体担载锰钴复合氧化物纳米材料。该方法具有工艺简单、操作简便、生产成本低、环境绿色友好的优点。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体 担载锰钴 复合 氧化物 纳米 材料 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体担载锰钴复合氧化物纳米材料的制备方法，其特征在于，该方法包括以下步骤：(1).将0.05 ～ 50 g的半导体载体分散于160 mL去离子水中，超声分散均匀，得到半导体悬浊溶液，将0.01 ～ 1 g高锰酸钾，加入50 mL ～ 5 L去离子水，混合均匀，得到高锰酸钾溶液，其浓度为0.002 ～20 g/L；(2).将上述步骤(1)所得半导体材料悬浊溶液和上述高锰酸钾溶液混合均匀，置于300 W氙灯光源下照射，光照时间为10 min ～ 24 h，光照反应后，向溶液中加入质量为0.01 ～ 50 g的Co盐，再光照2 h，抽滤、洗涤，得到样品；(3).将上述步骤(2)所得的样品进行干燥、研磨，研磨后在200 ～ 1000 ℃下煅烧0.5 ～12 h，制得半导体担载锰钴复合氧化物纳米材料。
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