[发明专利]TFT器件结构及其制作方法

摘要

本发明提供一种TFT器件结构及其制作方法。本发明的TFT器件结构，采用氧化铝层与氮化铝层叠加的双层结构的绝缘介质层，由于氧化铝具有优良的隔绝水汽、各种金属离子的特性，并具有强耐化学腐蚀、高热稳定性等特点，所述氧化铝层能够很好的保护半导体层和TFT器件，而氮化铝具有良好的热导电性和化学稳定性，能和硅形成良好的接触界面，叠加于所述氧化铝层上的氮化铝层能够消除氧化铝层和硅界面的热应力，以及防止高温下在界面形成硅氧化合物，另外，氧化铝与氮化铝均能够通过简单的磁控溅射或者CVD方式成膜，因此相比于传统的TFT器件结构，具有较低的材料工艺成本，产品性能更为优良。

主权项

1.一种TFT器件结构，其特征在于，包括绝缘介质层(30)，所述绝缘介质层(30)包括自下而上依次设置的氧化铝层(31)、及氮化铝层(32)；所述TFT器件结构还包括衬底基板(10)、遮光层(20)、低温多晶硅半导体层(40)、栅极绝缘层(50)、栅极(60)、层间绝缘层(70)、源极(91)、及漏极(92)；所述遮光层(20)设于所述衬底基板(10)之上；所述绝缘介质层(30)作为缓冲层，设于所述遮光层(20)与衬底基板(10)之上并覆盖所述遮光层(20)与衬底基板(10)；所述低温多晶硅半导体层(40)对应于所述遮光层(20)上方设于所述绝缘介质层(30)之上；所述栅极绝缘层(50)设于所述低温多晶硅半导体层(40)与所述绝缘介质层(30)之上并覆盖所述低温多晶硅半导体层(40)与所述绝缘介质层(30)；所述栅极(60)对应于所述低温多晶硅半导体层(40)上方并设于所述栅极绝缘层(50)之上；所述层间绝缘层(70)位于所述栅极(60)与栅极绝缘层(50)之上并覆盖所述栅极(60)与栅极绝缘层(50)；所述层间绝缘层(70)与栅极绝缘层(50)上对应于所述多晶硅半导体层(40)的两端设有第一过孔(71)、第二过孔(72)，所述源极(91)、漏极(92)设于所述层间绝缘层(70)上并分别通过所述第一过孔(71)、第二过孔(72)接触低温多晶硅半导体层(40)的两端。