[发明专利]光刻设备有效

专利信息
申请号: 201610399137.8 申请日: 2012-03-21
公开(公告)号: CN105892239B 公开(公告)日: 2019-09-17
发明(设计)人: T.劳弗 申请(专利权)人: 卡尔蔡司SMT有限责任公司
主分类号: G03F7/20 分类号: G03F7/20
代理公司: 北京市柳沈律师事务所 11105 代理人: 邱军
地址: 德国*** 国省代码: 德国;DE
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摘要: 一种光刻设备,包含结构件;第一传感器,具有检测在第一检测方向上的物理量的第一检测区域;第二传感器,具有检测在第二检测方向上的物理量的第二检测区域,传感器座,用于将传感器,安装至结构件。第一传感器布置为使得传感器座的温度变化了预定的温度变化值时,第一传感器的第一检测区域在第一检测方向上的最大位移不大于在第一传感器相对于其正交布置的情况下,第一传感器的第一检测区域在第一检测方向上的最大位移。第二传感器布置为使得所述传感器座的温度变化了预定的温度变化值时,第二传感器的第二检测区域在第二检测方向上的最大位移不大于在第二传感器相对于其正交布置的情况下,第二传感器的第二检测区域在第二检测方向上的最大位移。
搜索关键词: 光刻 设备
【主权项】:
1.一种光刻设备(100),包含:结构件(140);第一传感器(220a),具有用于检测在第一检测方向上的物理量的第一检测区域(225a);第二传感器(220b),具有用于检测在第二检测方向上的物理量的第二检测区域(225b);以及传感器座(210),用于将所述第一传感器(220a)和所述第二传感器(220b)安装至所述结构件(140),其中,所述第一传感器(220a)布置为使得所述传感器座(210)的温度变化了预定的温度变化值时,所述第一传感器(220a)的第一检测区域(225a)在所述第一检测方向上的最大位移不大于在所述第一传感器(220a)相对于其正交布置的情况下,所述第一传感器(220a)的第一检测区域(225a)在所述第一检测方向上的最大位移,以及所述第二传感器(220b)布置为使得所述传感器座(210)的温度变化了预定的温度变化值时,所述第二传感器(220b)的第二检测区域(225b)在所述第二检测方向上的最大位移不大于在所述第二传感器(220b)相对于其正交布置的情况下,所述第二传感器(220b)的第二检测区域(225b)在所述第二检测方向上的最大位移。
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